BSR33QTA 产品实物图片
BSR33QTA 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSR33QTA

商品编码: BM0107671867
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 2.1W 80V 1A PNP SOT-89
库存 :
1000(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.14
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.14
--
50+
¥0.881
--
1000+
¥0.735
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSR33QTA参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)80V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 100mA,5V
功率 - 最大值2.1W频率 - 跃迁100MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装SOT-89

BSR33QTA手册

empty-page
无数据

BSR33QTA概述

产品概述:BSR33QTA PNP晶体管

BSR33QTA是一款高性能的PNP型三极管,广泛应用于多种电子电路中,既可以作为开关元件,也可用作放大器。该元器件销售来源于美台公司(DIODES),其紧凑的SOT-89封装和卓越的电气性能,使其在一些需要高效率和高集成度的电气应用中表现突出。

主要规格

BSR33QTA的主要参数如下:

  • 电流 - 集电极 (Ic):最大电流达1A,适用于要求较大负载电流的应用场合。
  • 电压 - 集射极击穿 (Vce):最大电压为80V,确保器件可以在较高电压环境中可靠工作,满足常见电源应用的需求。
  • Vce 饱和压降:在不同的基极电流(Ib)、集电极电流(Ic)条件下,BSR33QTA的最大饱和压降为500mV,适用于工作在较高电流状态下,能够有效减少功耗,提升能效。
  • 截止电流:在最高100nA的的集电极截止电流(ICBO)下,该器件表现出优秀的关闭性能,适合用于需要高增益和低失真的模拟电路中。
  • DC电流增益 (hFE):在特定条件下(100mA集电极电流和5V),BSR33QTA的直流电流增益的最小值为100,表明其在放大应用中的优越性能。

功耗与工作频率

BSR33QTA的最大功耗为2.1W,具有良好的热管理性能,适合广泛的温度应用范围。在频率响应方面,该元件的跃迁频率高达100MHz,能够支持高频信号处理应用,适用于现代通信和信号处理系统中。

工作温度范围

该器件可在-65°C至150°C的广泛温度范围内稳定工作,这使得BSR33QTA特别适合在极端环境条件下使用,涵盖从汽车电子到航空航天等多个高可靠性应用领域。

封装信息

BSR33QTA采用SOT-89的表面贴装型封装,非常适合在空间有限的应用中使用。该封装在设计上符合现代电路的紧凑性需求,使得其在高密度PCB设计中易于集成。这种小型化封装还帮助降低了寄生电容和电感,提高了高频性能。

应用领域

BSR33QTA适用于多种应用,包括但不限于:

  • 开关电源:在瞬态负载下提供快速响应和高效率;
  • 音频放大器:在音频信号处理系统中实现高增益和低失真;
  • 射频应用:支持高频信号路径中的信号放大;
  • 低功耗传感器电路:满足各种传感器应用中的低功耗需求。

结论

总的来说,BSR33QTA凭借其广泛的工作温度范围、良好的电气性能和紧凑的SOT-89封装,使其成为开发现代电子设备时理想的选择。无论是需要高电流驱动的开关应用,还是对增益和频率要求严格的模拟电路,BSR33QTA都能提供卓越的解决方案。通过选择BSR33QTA,设计师能够在其电路设计中实现更高的效率和更好的性能。