注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STU2N95K5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-251-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 45W 950V 2A 1个N沟道 TO-251-3(IPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.96按整 :
管(1管有75个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.96
--
1500+
产品参数
产品手册
产品概述
STU2N95K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 950V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | 30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 105pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | IPAK（TO-251） |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
STU2N95K5手册
无数据
STU2N95K5概述
STU2N95K5 产品概述
概述
STU2N95K5 是一款高额定电压的 N 通道 MOSFET（场效应管），由意法半导体（STMicroelectronics）旗下生产。该器件以其950V 的漏源电压（Vdss）和2A 的连续漏极电流（Id）而闻名，适用于需要高抗压性能和优越导电能力的各种应用场合。其卓越的性能使其在电源管理、开关电源、逆变器以及其他需要高电压驱动的场合得到广泛应用。
主要特性
- 高额定电压：950V 的漏源电压使 STU2N95K5 能够在高电压环境中可靠运行，非常适合用于高压电源应用中。
- 连续漏极电流：在25°C 的环境下，该器件可持续承受2A 的漏极电流，能够满足多种实际应用需求。
- 低导通电阻：在10V 及1A 的条件下，该 MOSFET 具有最大值5Ω 的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了功率损耗，提升了功效。
- 高功率耗散能力：可承受最高达45W 的功率耗散，为电路设计提供了更加灵活的解决方案，同时也有助于提高系统的可靠性。
- 宽工作温度范围：该器件的工作温度可以在-55°C 到 150°C 之间，这使得其能够适应各种严苛的环境条件，确保长期稳定运行。
- 高栅极电压：最大栅极电压（Vgs）为30V，适应不同的驱动要求。
- 小型封装：采用 TO-251-3 (IPAK) 封装类型，短引线设计带来了优越的布局灵活性和散热性能，适用于高集成度的电路设计。
应用场景
由于其卓越的性能参数，STU2N95K5 在以下领域中得到了广泛应用：
开关电源：该 MOSFET 适合用作开关电源中的主要开关元件，借助其高压和高效性能，可以有效降低整个电源系统的能耗。
逆变器：在太阳能逆变器和风能逆变器中，STU2N95K5 的高压高流设计使其成为理想的选择，支持高效的能量转换。
电动汽车：在电动汽车的电力管理系统和动力电池管理中，这种 MOSFET 还可以在各种高放电应用中使用，提供稳定且可靠的功率供给。
工业驱动和控制：该器件在电机驱动、机器控制等工业设备中广泛应用于开关和控制电路，处理高电压和高电流的情况。
结论
STU2N95K5 以其卓越的性能和广泛的适用范围为电力电子领域的设计工程师提供了强大的解决方案。这款 N 通道 MOSFET 适合各种高压应用，具有极佳的导电性能和抗压能力，助力于今后电力电子技术的创新与发展。如果您正在寻找一款高效能、高可靠性的电源管理元器件，STU2N95K5 绝对是一个值得考虑的理想选择。