安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
频率 - 跃迁 | 320MHz | 功率 - 最大值 | 500mW |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 350mV @ 50mA,1A | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 50mA,3V |
2SCR533P5T100是一款高性能的表面贴装型NPN晶体管,专为现代电子设备的高效能和小型化设计而开发。其独特的规格使其适用于多种应用场景,包括但不限于信号放大、开关控制和电源管理等领域。该产品由著名的半导体制造商ROHM(罗姆)生产,封装类型为MPT3(SOT-89),其设计便于与其他元件的配合,以满足紧凑电路设计的需求。
表面贴装设计:2SCR533P5T100采用小型SOT-89封装类型,便于在轻便和高密度的电子设备中进行集成,特别适合智能手机、平板电脑、家用电器等消费类电子产品的设计。
高电流处理能力:该晶体管的最大集电极电流(Ic)为3A,能够满足各种负载需求,确保设备在高负载情况下依然稳定工作。同时,其最大集电极截止电流(ICBO)亦达到了1µA,使其在关断状态下表现出极低的功耗。
宽工作温度范围:2SCR533P5T100能够在高达150°C的工作温度下正常运行,适合在高温环境中使用,如汽车电子和工业自动化设备,从而提高产品的可靠性和耐用性。
高频性能:该晶体管的跃迁频率高达320MHz,显著增强了其在高频通信和信号处理中的应用能力,为设计师在射频应用方面提供了良好的解决方案。
低饱和压降:在不同的电流条件下,该产品的Vce饱和压降最大值为350mV,特别是在50mA和1A的条件下。这意味着在高负载操作时可以有效减少功率损失,提高能效。
优秀的增益特性:在特定条件下(如50mA,3V),该晶体管的直流电流增益(hFE)最小值达到了180,确保了高效的信号放大效果,使其在各种放大应用中表现出色。
2SCR533P5T100晶体管可广泛应用于以下领域:
综上所述,2SCR533P5T100是一款提供高效能、可靠性和优异电气特性的表面贴装NPN晶体管。其多样化的应用和优秀的规格使其成为现代电子设计中不可或缺的一部分,满足了当今市场对高性能小型化元件的迫切需求。ROHM以其高质量标准保证了产品的长期稳定性和可靠性,适合于广大工程师在多种复杂应用场合的选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业自动化领域,2SCR533P5T100都展现出其出色的性能和应用潜力。