DXT651Q-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DXT651Q-13

商品编码: BM0107671847
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 1W 60V 3A NPN SOT-89-3
库存 :
14(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
1.2
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.2
--
100+
¥0.919
--
1250+
¥0.779
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DXT651Q-13参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3A
电压 - 集射极击穿(最大值)60V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值1W频率 - 跃迁140MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装SOT-89-3

DXT651Q-13手册

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无数据

DXT651Q-13概述

产品概述:DXT651Q-13 NPN 三极管

概要

DXT651Q-13 是一款高性能的 NPN 晶体管,专为要求高功率和高电流的应用而设计。其最大集电极电流(Ic)可达 3A,而集射极击穿电压(Vce)最大值为 60V,使其能够很好地适用于多种工业和消费电子设备。这款晶体管以 SOT-89-3 封装提供,符合现代紧凑型电子设计的需求。

主要特性

  • 类型:NPN
  • 最大集电极电流(Ic):3A
  • 集射极击穿电压(最大值):60V
  • 饱和压降(Vce(sat)):600mV(在 300mA 和 3A 条件下)
  • 集电极截止电流(ICBO):100nA(最大值)
  • 直流电流增益(hFE):最小 100(在 500mA,2V 条件下)
  • 功率最大值:1W
  • 跃迁频率:140MHz
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C
  • 封装类型:SOT-89-3(TO-243AA)

应用领域

DXT651Q-13 的设计使其适合多种典型应用,包括但不限于:

  1. 开关电源:此晶体管可用于开关电源中的开关控制部分,承担高电流、低功耗和高效率的信息处理任务。
  2. 放大器电路:由于其良好的直流电流增益(hFE),该晶体管可用于音频放大器和信号放大器电路。
  3. 电机驱动:可在电动机驱动电路中用作开关器件,以控制直流电机或步进电机的启动、停止和转速调整功能。
  4. 控制和传感器电路:广泛应用于自动控制系统中,可与各种传感器配合,实现逻辑电平转换和信号增强。

主要优势

  • 高效能:DXT651Q-13 在其分类中具有高集电极电流和高电压承受能力,确保在苛刻环境中的可靠性运行。
  • 出色的频率响应:140MHz 的跃迁频率使其适合高频应用,例如无线电与通信设备。
  • 小型封装:SOT-89-3 的表面贴装型设计使其在现代紧凑型PCB设计中非常受欢迎,帮助制造商节约空间并提高安装效率。
  • 温度稳定性:-55°C 到 150°C 的广泛温度范围保证了在严格环境条件下的可靠性能,特别适合工业应用。

结论

DXT651Q-13 NPN 晶体管以其卓越的技术规格和多样化的应用能力,成为很多电子设计工程师的首选。无论是在高功率开关电路,还是在高增益放大电路中,它都能表现出色,满足客户对性能和可靠性的高要求。随着电子技术的不断发展,DXT651Q-13 定将继续在多个领域扮演关键角色,推动电子设备向更高的效率和更小的体积发展。