晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 300mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,2V |
功率 - 最大值 | 1W | 频率 - 跃迁 | 140MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
DXT651Q-13 是一款高性能的 NPN 晶体管,专为要求高功率和高电流的应用而设计。其最大集电极电流(Ic)可达 3A,而集射极击穿电压(Vce)最大值为 60V,使其能够很好地适用于多种工业和消费电子设备。这款晶体管以 SOT-89-3 封装提供,符合现代紧凑型电子设计的需求。
DXT651Q-13 的设计使其适合多种典型应用,包括但不限于:
DXT651Q-13 NPN 晶体管以其卓越的技术规格和多样化的应用能力,成为很多电子设计工程师的首选。无论是在高功率开关电路,还是在高增益放大电路中,它都能表现出色,满足客户对性能和可靠性的高要求。随着电子技术的不断发展,DXT651Q-13 定将继续在多个领域扮演关键角色,推动电子设备向更高的效率和更小的体积发展。