FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9.5 毫欧 @ 7A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 56nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2248pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 2.1W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6(F 类) |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMN2011UFDF-7 是由 DIODES(美台)公司推出的一款 N 通道 MOSFET(场效应管),具有出色的电气性能和较低的功耗,是广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动等领域的理想选择。其采用 U-DFN2020-6 贴片封装,具有优良的热管理性能,适合高密度布局设计。
DMN2011UFDF-7 的设计使其在高负载条件下能够稳定工作,同时保持低导通电阻和高效率。这些特性使其特别适合于需要快速开关和高效率电源转换的应用。此外,其宽广的工作温度范围保证了在严苛环境条件下也能正常运行,增加了产品的适用性。
在电源管理中,DMN2011UFDF-7 可用于DC-DC转换器、开关电源和线性稳压器等设备中,为这些应用提供出色的控制和效率。在马达驱动应用中,该产品能够提供高电流输出,同时简化驱动电路的设计并减少功率损耗。
DMN2011UFDF-7 采用 6-UDFN(裸露焊盘)封装,既节省空间又便于散热,适合高集成度电路板的需求。这种表面贴装型设计使得安装过程简便,并能够满足现代电子设备的小型化和轻量化要求。
DMN2011UFDF-7 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的导通性能、良好的热管理能力和宽工作温度范围,成为多种应用领域的优选元件。尤其在电源管理和马达控制中,凭借高效率和高稳定性,能够满足各种苛刻的设计需求。对于设计工程师来说,DMN2011UFDF-7 将是提升产品性能和可靠性的理想选择。