晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.6V @ 500µA,350mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 350mA,2V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 16-SO |
产品概述:ULN2002D1013TR
一、产品简介
ULN2002D1013TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能达林顿晶体管阵列,封装类型为16-SOIC,适用于各种电子控制和驱动应用。作为一款NPN型达林顿晶体管,ULN2002D1013TR在设计上能够实现较高的电流增益,这使得它在驱动负载(如马达、继电器和灯光等)时展现出优异的表现。
二、关键参数
三、应用领域
ULN2002D1013TR广泛应用于各种需要高电流和高电压控制的场景,主要包括但不限于:
四、性能优势
五、总结
ULN2002D1013TR是针对高性能电子控制应用而设计的达林顿晶体管阵列,具有高电流增益、良好的电流和电压承载能力、低功率损耗的特点,适用于各种负载驱动。无论是智能家居产品、工业自动化、还是其他复杂的控制系统,其出色的性能和广泛的应用范围都使其成为市场上的一个理想选择。针对各类应用需求,ULN2002D1013TR提供了极其优越的电流和温度特性,帮助设计师轻松应对多变的电子需求。