ULN2002D1013TR 产品实物图片
ULN2002D1013TR 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ULN2002D1013TR

商品编码: BM0107671806
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
SO-16
包装 : 
编带
重量 : 
0.284g
描述 : 
达林顿晶体管阵列 ULN2002D1013TR SOIC-16
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.33
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.33
--
100+
¥1.79
--
1250+
¥1.56
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

ULN2002D1013TR参数

晶体管类型7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.6V @ 500µA,350mA
电流 - 集电极截止(最大值)50µA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)1000 @ 350mA,2V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装16-SO

ULN2002D1013TR手册

empty-page
无数据

ULN2002D1013TR概述

产品概述:ULN2002D1013TR

一、产品简介

ULN2002D1013TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能达林顿晶体管阵列,封装类型为16-SOIC,适用于各种电子控制和驱动应用。作为一款NPN型达林顿晶体管,ULN2002D1013TR在设计上能够实现较高的电流增益,这使得它在驱动负载(如马达、继电器和灯光等)时展现出优异的表现。

二、关键参数

  1. 晶体管类型: NPN 达林顿,适用于高增益应用。
  2. 电流 - 集电极 (Ic): 该器件最大承载集电极电流达到500mA,具备良好的负载驱动能力。
  3. 电压 - 集射极击穿(Vce): 最大击穿电压为50V,为高电压应用提供了可靠的保护。
  4. Vce饱和压降: 在工作条件下,当Ic为500µA和350mA时,Vce饱和压降最大为1.6V。这意味着在处于饱和状态时,其损耗相对较低,优化了能效。
  5. 集电极截止电流 (Ic): 在最大值处,Ic截止电流为50µA,保证了在关断状态下的低功耗特性。
  6. DC电流增益 (hFE): 在条件下,DC电流增益达到1000,表现出良好的开关速度和控制能力。
  7. 工作温度范围: 适宜在-40°C至85°C的广泛温度范围内工作,使其在严酷环境中依然保持稳定性能。
  8. 安装类型和封装: 此器件采用表面贴装型(SMD),封装为16-SO,尺寸为0.154寸(3.90mm宽),便于集成到各类现代电子设备中。

三、应用领域

ULN2002D1013TR广泛应用于各种需要高电流和高电压控制的场景,主要包括但不限于:

  • 继电器驱动: 适合通过控制逻辑信号驱动继电器,以实现开关控制。
  • 步进电机控制: 可用于驱动步进电机,在 CNC 或机器人机械结构中展现出良好的应用效果。
  • 电机控制: 包括直流电机或步进电机的正反转控制。
  • LED驱动: 在LED照明系统中作为驱动器,提供稳定的电流输出。
  • 自动化控制系统: 用于需要驱动多个负载的复杂控制系统。

四、性能优势

  1. 高电流增益: 超过1000的电流增益确保在小输入信号下,仍能驱动大负载,提高设计的灵活性和效率。
  2. 低压降: 最大1.6V的饱和压降意味着在较高载流时消耗极低的功率,优化了热管理。
  3. 宽温范围: 可以在严苛的环境条件下工作,不论是工业控制还是家用电器,均可满足高要求。
  4. 紧凑的封装设计: 16-SOIC封装使得其更适于空间有限的应用。

五、总结

ULN2002D1013TR是针对高性能电子控制应用而设计的达林顿晶体管阵列,具有高电流增益、良好的电流和电压承载能力、低功率损耗的特点,适用于各种负载驱动。无论是智能家居产品、工业自动化、还是其他复杂的控制系统,其出色的性能和广泛的应用范围都使其成为市场上的一个理想选择。针对各类应用需求,ULN2002D1013TR提供了极其优越的电流和温度特性,帮助设计师轻松应对多变的电子需求。