FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A(Ta),3.9A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 34 毫欧 @ 4.6A,4.5V,59 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.2nC @ 4.5V,13nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1003pF @ 6V,1028pF @ 6V |
功率 - 最大值 | 1.36W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | U-DFN2020-6(B 类) |
基本信息
DMC1030UFDB-7 是一种高性能的互补型场效应管(MOSFET),由美台(DIODES)公司生产。该器件集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道MOSFET,采用表面贴装(SMD)技术,封装规格为 U-DFN2020-6(B 类),因其优越的性能表现和宽广的工作温度范围,适用于各种电子应用场景。
产品规格
应用领域
DMC1030UFDB-7 具有广泛的应用前景,尤其在以下领域表现优越:
产品优势
总结
DMC1030UFDB-7 是一个功能强大且高效率的双MOSFET解决方案,为各种电子应用提供了卓越的性能。凭借其高电流能力、卓越的导电性以及宽广的工作温度,DMC1030UFDB-7 能够满足严苛的应用需求,是设计师在选择高效开关元件时的理想选择。无论是在电源管理系统、LED 照明、电机控制还是电池管理领域,该器件都能提供优异的性能,帮助工程师提高设计效率并降低系统成本。