DMC1030UFDB-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMC1030UFDB-7

商品编码: BM0107671799
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.36W 12V 5.1A;3.9A 1个N沟道+1个P沟道 U-DFN2020-6D
库存 :
1774(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.57
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.57
--
100+
¥1.21
--
750+
¥1.01
--
1500+
¥0.915
--
3000+
¥0.84
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC1030UFDB-7参数

FET 类型N 和 P 沟道互补型FET 功能标准
漏源电压(Vdss)12V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.1A(Ta),3.9A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)34 毫欧 @ 4.6A,4.5V,59 毫欧 @ 3.6A,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)12.2nC @ 4.5V,13nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1003pF @ 6V,1028pF @ 6V
功率 - 最大值1.36W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装U-DFN2020-6(B 类)

DMC1030UFDB-7手册

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DMC1030UFDB-7概述

产品概述:DMC1030UFDB-7

基本信息
DMC1030UFDB-7 是一种高性能的互补型场效应管(MOSFET),由美台(DIODES)公司生产。该器件集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道MOSFET,采用表面贴装(SMD)技术,封装规格为 U-DFN2020-6(B 类),因其优越的性能表现和宽广的工作温度范围,适用于各种电子应用场景。

产品规格

  • FET 类型:N 沟道和 P 沟道互补型
  • 漏源电压(Vdss):最大12V
  • 连续漏极电流(Id):在25°C时,N沟道可达5.1A,而P沟道为3.9A
  • 导通电阻(Rds(on)):在不同电流和栅极电压下,其最大导通电阻为34毫欧(4.6A,4.5V)和59毫欧(3.6A,4.5V)
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为1V(250µA条件下)
  • 栅极电荷(Qg):在4.5V的条件下,N沟道和P沟道的最大栅极电荷分别为12.2nC和13nC
  • 输入电容(Ciss):在6V下,最大输入电容为1003pF(N沟道)与1028pF(P沟道)
  • 功率额定值:最大功耗为1.36W(Ta)
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,提供了优秀的环境适应能力
  • 封装类型:U-DFN2020-6 裸露焊盘设计,适合进行高密度的电路板安装

应用领域
DMC1030UFDB-7 具有广泛的应用前景,尤其在以下领域表现优越:

  • 开关电源:在电源管理中,MOSFET能有效控制能量的传输,以提高系统的电源效率。
  • 电机驱动:在电动机驱动电路中,DMC1030UFDB-7可作为开关元件,有效控制电动机的起动及速度调节。
  • LED 驱动:通过其低导通电阻,MOSFET能为LED照明系统提供高效的电流控制。
  • 电池管理系统:在电池充放电过程中,能够提供高效的控制和保护功能,确保电池的安全和长期稳定运作。

产品优势

  1. 高导电性能:由于低导通电阻,该器件在大电流条件下的功耗损失非常小,能提升整体电路的能效。
  2. 广泛的工作温度:-55°C至150°C的工作温度范围使得该产品非常适合各种恶劣环境下的应用。
  3. 紧凑型封装设计:U-DFN2020-6封装形式便于在空间有限的电路板上实现高密度集成。
  4. 双管设计:作为互补型 MOSFET,DMC1030UFDB-7能够在同一封装中简化电路设计,提高系统的可靠性。

总结
DMC1030UFDB-7 是一个功能强大且高效率的双MOSFET解决方案,为各种电子应用提供了卓越的性能。凭借其高电流能力、卓越的导电性以及宽广的工作温度,DMC1030UFDB-7 能够满足严苛的应用需求,是设计师在选择高效开关元件时的理想选择。无论是在电源管理系统、LED 照明、电机控制还是电池管理领域,该器件都能提供优异的性能,帮助工程师提高设计效率并降低系统成本。