FMMT458QTA
FMMT458QTA参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 225mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 400V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 6mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 50mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMT458QTA手册
FMMT458QTA概述
FMMT458QTA 产品概述
一、产品简介
FMMT458QTA是一款高性能的NPN晶体管，专为高电压和中等电流应用设计。它的最大集电极电流（Ic）为225mA，最大集射极击穿电压为400V，使其能够满足众多工业和消费电子应用的要求。这款晶体管采用SOT-23-3封装，适合表面贴装技术（SMT），能够在空间有限的应用中提供优异的性能。
二、主要特点
高电压承受能力：FMMT458QTA的最大集射极击穿电压为400V，能够有效适应高电压条件下的工作需求，非常适合用于需要高电压开关或线性放大的电路。
卓越的电流处理能力：其最大集电极电流（Ic）为225mA，足以满足大多数中等功率应用的需求。加之其截止电流低至100nA，意味着在关闭状态下几乎没有漏电流，提升了整体系统的能效。
低Vce饱和压降：在6mA和50mA的集电极电流下，FMMT458QTA的Vce饱和压降最大为500mV，能够在开关状态下提供更高的效率和更低的热量损耗，这对于电源管理和信号放大应用尤为重要。
高增益特性：在50mA和10V的条件下，DC电流增益（hFE）的最小值为100，显示出其良好的放大能力。这使得FMMT458QTA非常适合用于各种模拟和数字信号处理电路。
广泛的工作温度范围：FMMT458QTA的工作温度范围为-55°C至150°C，保证其在极端环境下的稳定性和可靠性，非常适合于汽车电子、工业设备和通信设备等应用。
小型化封装：采用表面贴装SOT-23封装，FMMT458QTA在空间有限的电路板设计中表现出色，能够有效减少PCB的占用面积，便于集成更多的功能。
三、应用场景
FMMT458QTA晶体管被广泛应用于以下领域：
电源管理：作为开关元件，FMMT458QTA适合用于开关电源和其他电源管理电路，通过其高电压和高电流的承受能力，实现高效的开关控制。
信号放大：由于其高增益特性，该晶体管可用于音频放大器、射频放大器以及其他信号处理电路中，提供强劲的放大效果。
开关电路：在自动化设备和控制系统中，FMMT458QTA可用作开关装置，通过控制基极电流实现对负载的开关控制。
继电器驱动：其大电流能力使其适合驱动继电器或其他高功率负载，从而实现复杂控制逻辑的高效切换。
四、总结
FMMT458QTA是DIODES（美台）生产的一款具备高电压和中等电流处理能力的NPN晶体管。它的卓越性能和适应性使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在电源管理、信号放大还是开关电路方面，FMMT458QTA都能为各种市场需求提供有效的解决方案。通过其小型封装设计和优良的电气参数，FMMT458QTA晶体管成为设计师在推动创新和提升系统效率方面的得力助手。