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DMN2028USS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.56W 20V 7.3A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
2297(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.79按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.79
--
100+
￥1.38
--
1250+
￥1.2
--
2500+
￥1.13
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2028USS-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.6nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.56W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMN2028USS-13手册
无数据
DMN2028USS-13概述
DMN2028USS-13 产品概述
产品概述
DMN2028USS-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用 SO-8 表面贴装封装，专为高效能电源管理和开关应用设计。该器件的漏源电压（Vdss）高达 20V，最大连续漏极电流（Id）可达 7.3A，非常适合在需要低导通电阻和高效率的工作环境中使用。
主要特点
低导通电阻 ： DMN2028USS-13 在 Vgs 为 4.5V 时，导通电阻（Rds On）可低至 20 毫欧，确保电流通过时的能量损耗最小化，提高整体电路效率。
广泛的工作温度范围： 器件的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适合在极端环境条件下使用，使其在汽车、电源转换器以及各种工业应用中表现尤为出色。
高栅极电荷： 该MOSFET在 Vgs 为 4.5V 时的栅极电荷（Qg）最大为 11.6nC，保证快速的开关响应，有助于实现高频操作和降低开关损耗。
高功率耗散能力： 具备最大功率耗散为 1.56W 的能力，使 DMN2028USS-13 能够处理较大的功率负荷，适用范围广泛。
理想的输入电容： 器件在 Vds 为 10V 时的输入电容（Ciss）最大为 1000pF，为驱动电路提供了优越的输入特性，进一步增强了开关性能。
应用领域
DMN2028USS-13 专为需要高开关效率和低功耗的应用而设计。其主要应用场景包括：
- DC-DC 转换器：在开关电源中，作为开关器件使用，提高电源转换效率。
- 电机驱动：可用于驱动直流电机、步进电机和其他电机类型，提供高电流操作能力。
- 负载开关：在电源管理电路中，作为负载控制开关，能够快速响应和有效控制电源分配。
- 汽车电子：能够在复杂的汽车电子系统中发挥作用，如电源管理、驱动控制及负载切换。
性能指标
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 7.3A @ 25°C
- 最大 Rds On: 20mΩ @ Id=9.4A, Vgs=4.5V
- Vgs(th) 最大值: 1.3V @ 250µA
- 最大功率耗散: 1.56W
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
结论
DMN2028USS-13 的卓越性能和广泛应用，使其成为市场上非常可靠的 N 通道 MOSFET 选择。它的低导通电阻、良好的功率耗散能力及抗环境干扰能力，使其适用于多种高性能电子应用，广泛应用于电力电子、汽车电子、工业自动化等领域。DMN2028USS-13 强大的特性使其不仅能够满足当前的高效能需求，也为未来更复杂的电子系统提供了可行的解决方案。