BCM846BS-7
BCM846BS-7参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | 2 NPN（双）配对 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 65V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 5mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
BCM846BS-7手册
BCM846BS-7概述
产品概述：BCM846BS-7
概述
BCM846BS-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 NPN 晶体管，设计用于各种电子应用中。这款器件集成了两个 NPN 晶体管，适合需要配对特性的电路，这使其在信号放大和开关用途上非常理想。随着现代电子产品的复杂性日益增加，BCM846BS-7 的广泛应用前景使其成为设计工程师和开发者的优选元件。
主要特点
双 NPN 配对：BCM846BS-7 具有两个 NPN 晶体管的配置，可有效提高设计的灵活性，适应双向信号处理或差分放大等应用。
高电流和电压额定值：该器件的最大集电极电流 (Ic) 为 100mA，集射极击穿电压 (Vce) 可承受高达 65V，保证了其在高电压和大电流条件下的稳定性和可靠性。
低饱和压降：在 5mA 和 100mA 的工作条件下，该器件的 Vce 饱和压降最大值为 400mV，这使得其在低功耗应用中表现良好，能够减少能量损失并提高整体电路的效率。
卓越的直流电流增益：BCM846BS-7 的最小直流电流增益 (hFE) 达到 200 @ 2mA，5V，这表明在低电流条件下，仍能够提供出色的放大能力。
超低功耗和高频性能：该器件的最大功率为 200mW，能够在众多低功耗应用中，确保高效工作。此外，跃迁频率达到 100MHz，使其适合高速信号处理，如 RF 放大器和开关应用等。
宽工作温度范围：BCM846BS-7 的工作温度范围为 -65°C ~ 150°C，这一特性使其能够适用在极端环境下的工业或航空航天应用中。
紧凑的封装：该器件采用 SOT-363 封装，尺寸小巧，非常适合现代表面贴装技术 (SMT) 的需求，能够有效节省空间并提高设计的集成度。
应用领域
BCM846BS-7 可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 消费电子：可用于音频放大器、信号处理模块等。
- 工业控制：适用于传感器信号放大、电子开关等用途。
- 汽车电子：在汽车的控制系统中，用于高压控制和信号放大。
- RF 和高速应用：由于其高频特性，适合无线通信设备、调制解调器等。
- 便携式设备：因其小巧的封装设计，适合集成至各种便携式电子产品，，如智能手机、平板电脑等。
结论
总而言之，BCM846BS-7 是一款高效、可靠的 NPN 晶体管，具备多项优秀性能和特性。其出色的电流增益、广泛的工作电压、优良的饱和压降以及卓越的频率响应，使其在现代电子设计中占有一席之地。无论是在消费电子、工业控制还是通信领域，BCM846BS-7 都为工程师提供了灵活的设计选择和高效的解决方案，是推动电子产品向更高性能发展的理想器件。