ZXTP19100CZTA
ZXTP19100CZTA参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 295mV @ 200mA，2A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V | 频率 - 跃迁 | 142MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| 功率 - 最大值 | 2.4W |
ZXTP19100CZTA手册
ZXTP19100CZTA概述
ZXTP19100CZTA 产品概述
ZXTP19100CZTA 是 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 PNP 型功率晶体管，广泛应用于各种电子设备中。其设计旨在为设计师提供高效、可靠的解决方案，特别是在中等功率应用的场景。下面我们将从多个方面对该产品进行详细解读，包括其主要特征、应用场景以及技术参数。
主要特征
高电流和高电压能力： ZXTP19100CZTA 的集电极电流（Ic）最大可达 2A，而集射极击穿电压（Vce）最大可达 100V。这使得它在处理较高功率和电压的应用时具有出色的能力，尤其适合用于电源管理和驱动电路中。
优秀的饱和压降： 在不同的电流条件下，其饱和压降（Vce(sat)）最大为 295mV（在 200mA 和 2A 的 Ic 条件下）。低的饱和压降意味着在开关工作状态下更低的功耗，并提高了整体效率，适用于高效能的电源设计。
高增益特性： ZXTP19100CZTA 的直流电流增益（hFE）在不同条件下均表现优异，最小值可达 200，尤其在 100mA 和 2V 的条下即可实现。这意味着在较小的基极电流下，能够有效控制更大的集电极电流，提高了设计的灵活性。
高频特性： 此款三极管的跃迁频率达到 142MHz，这使得 ZXTP19100CZTA 可以在较高频率的应用中有效工作，例如在开关电源和射频放大器中。
宽广的工作温度范围： 工作温度范围从 -55°C 至 150°C，表明其可以在极端环境条件下稳定运行，这对于军事、航空及工业应用尤为重要。
表面贴装设计： 采用 SOT-89-3 封装形式，实现了紧凑的安装空间，有助于设备的体积减小，更符合现代电子设备小型化的趋势。
应用场景
ZXTP19100CZTA 的应用场合非常广泛。以下是一些典型的应用实例：
电源开关和调节： 由于其低饱和压降、高电流能力和高频特性，该三极管能够有效取代传统的开关二极管，广泛应用于电源管理电路中。
音频放大器： 在音频放大器中使用 ZXTP19100CZTA，可以获得高增益和低失真音频信号的放大效果，适合高保真音响系统。
电机驱动： 此三极管能够提供稳定的驱动电流，适用于小型电机和执行机构的驱动开关，能够提升系统的整体效率。
信号放大器和开关电路： 利用其高频特性，ZXTP19100CZTA 非常适合于信号放大及各类开关电路，能够在高速工作的条件下稳定运行。
工业控制系统： 在复杂的工业控制系统中，ZXTP19100CZTA 的广泛工作温度范围及强大的耐用性，使其能够应对各种严苛环境下的工作需求。
结论
ZXTP19100CZTA 是 Diodes Incorporated 提供的一款功能全面、高性能的 PNP 型功率晶体管，凭借其卓越的电气特性和广阔的应用范围，成为设计师在中等功率应用下的重要选择。无论是在电源管理、音频放大，还是工业控制和信号处理领域，ZXTP19100CZTA 都表现出优异的性能和可靠性。在选择适合的功率晶体管时，ZXTP19100CZTA 无疑是一个值得考虑的产品。