ZXT13N50DE6TA 产品实物图片
ZXT13N50DE6TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZXT13N50DE6TA

商品编码: BM0107671666
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT26
包装 : 
编带
重量 : 
0.041g
描述 : 
三极管(BJT) 1.1W 50V 4A NPN SOT-26
库存 :
3659(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.64
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.64
--
100+
¥2.11
--
750+
¥1.89
--
1500+
¥1.79
--
3000+
¥1.7
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXT13N50DE6TA参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)4A
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)180mV @ 400mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)300 @ 1A,2V
功率 - 最大值1.1W频率 - 跃迁115MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-23-6供应商器件封装SOT-26

ZXT13N50DE6TA手册

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ZXT13N50DE6TA概述

产品概述:ZXT13N50DE6TA

一、产品简介

ZXT13N50DE6TA是一款高性能的NPN型晶体管 (BJT),它能够满足多种电力电子应用的需求。这款晶体管具有优越的电气特性和广泛的工作温度范围,使其成为诸多领域中可靠的解决方案。封装采用SOT-26外壳,适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产,推动产品的小型化及高效能。

二、主要规格

  1. 晶体管类型:NPN
  2. 最大集电极电流(Ic):4A,能承受较高的电流需求。
  3. 集射极击穿电压(Vce):最大值为50V,能够在较高电压下稳定工作。
  4. 饱和压降(Vce(sat))
    • 180mV @ 400mA
    • 4A下仍保持良好的低饱和特性,提高了系统效率。
  5. 集电极截止电流(Ic(off)):最大值为100nA,保证极小的泄漏电流,有助于提高设备的能源效率。
  6. DC电流增益(hFE):最小值为300 @ 1A,2V,彰显其在高电流驱动下仍能维持良好的增益特性。
  7. 最大功率:1.1W,适应多种功率应用需求。
  8. 频率响应:跃迁频率高达115MHz,适合于需要快速开关和高频操作的应用场景。
  9. 工作温度范围:从-55°C到150°C,支持在极端环境下的稳定性,适合于汽车、工业控制、航空航天等应用。
  10. 封装方式:SOT-26,方便进行自动化贴片作业,降低生产成本。

三、应用领域

ZXT13N50DE6TA适合于多种应用场合,包括但不限于:

  • 开关电源:由于其高集电极电流和良好的开关特性,适用于DC-DC转换器和其他电源管理解决方案。
  • 功率放大器:在音频和射频放大器中使用,能够提供高增益和较低的失真,提高放大效果。
  • 电机驱动:通过控制电机的驱动信号,实现方便快速的电机启动和制动。
  • 条形灯驱动:尤其适用于LED照明系统中,表现出色的电流控制能力,有效降低能耗。
  • 汽车电子:在车载电气设备中应用时,能够承受高温和恶劣环境,确保设备的正常运作。

四、竞争优势

ZXT13N50DE6TA在市场上的竞争优势主要体现在以下几个方面:

  • 高性能:凭借高达4A的集电极电流和50V的耐压能力,能够处理多种复杂应用,满足客户的电气要求。
  • 低功耗:由于超低的饱和压降,能有效降低功耗,提升系统整体的能效。
  • 广泛的工作温度:在极端环境下表现稳定,适合用于要求高温和低温的各种产品中。
  • 小型化设计:SOT-26封装极大地方便了空间受限设备的设计,使其在便携式和嵌入式应用中更加灵活。

五、总结

综上所述,ZXT13N50DE6TA是一款适合多种高要求电力应用的NPN晶体管,其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,使其成为设计工程师在选择电子元器件时的首选之一。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域,ZXT13N50DE6TA均能提供可靠的性能支持,为用户创造更高的价值。