DTC123EMT2L
DTC123EMT2L参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 20mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-723 |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
DTC123EMT2L手册
DTC123EMT2L概述
DTC123EMT2L 产品概述
产品简介
DTC123EMT2L 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的高性能 NPN 型预偏置数字晶体管，适用于各种电子应用。这款晶体管采用 SOT-723 封装，具有小型化和轻量的特点，非常适合现代电子设备的尺寸限制和节能需求。其广泛应用于消费电子、通讯设备以及其他需要开关和放大功能的电路。
基本参数
DTC123EMT2L 的主要参数如下：
- 晶体管类型: NPN - 预偏置
- 集电极电流 (Ic): 最大 100mA
- 集射极击穿电压 (Vce(max)): 50V
- 基极电阻 (R1): 2.2 kΩ
- 发射极电阻 (R2): 2.2 kΩ
- 直流电流增益 (hFE): 在 20mA 和 5V 时，最小值为 20
- Vce 饱和压降 (Vce(sat)): 在 500μA 和 10mA 时，最大值为 300mV
- 集电极截止电流 (Ic(off)): 最大 500nA
- 跃迁频率 (fT): 250MHz
- 最大功率 (Pmax): 150mW
- 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
- 供应商器件封装: VMT3
性能特点
高增益和良好的频率响应: DTC123EMT2L 在 20mA、5V 条件下具有良好的 DC 电流增益 (hFE)，可以有效地放大输入信号。此外，其跃迁频率可达到 250MHz，使其在高速开关和放大应用中表现出色。
低饱和压降: 产品的 Vce 饱和压降为 300mV，确保在低电流条件下仍能高效工作。这一特性使得它非常适合用于多种低功耗电路，减少能量损失，提高系统整体效率。
宽应用范围: 由于其灵活的电气参数和较高的集电极电流能力，DTC123EMT2L 特别适合用于开关电源、信号放大、开关电路及其它控制应用。
高温稳定性: 该晶体管设计考虑到了高温操作条件，能够在一定温度范围内稳定工作，适合工业及汽车等领域的要求。
小型化封装: SOT-723 封装具有较小的尺寸，方便在PCB上进行高密度布线，满足现代电子设备对小型化和轻量化的需求。
应用领域
DTC123EMT2L 的多种特性使其在多个领域具备广泛的应用潜力，包括但不限于：
- 消费电子: 电视、音响系统、移动设备等。
- 通讯设备: 手机基站、路由器等网络设备。
- 汽车电子: 车载音响、控制系统等。
- 工业控制: 传感器信号处理、执行器驱动等。
结论
DTC123EMT2L 是一款功能丰富、性能优秀的 NPN 预偏置数字晶体管，凭借其宽广的应用领域和灵活的设计特点，能够满足现代电子行业对高效、低功耗、高性能元器件的需求。无论是在消费电子、通讯还是工业控制等领域，DTC123EMT2L 都凭借其优良的性能成为设计工程师的理想选择。在选择合适的晶体管时，DTC123EMT2L 应该作为优先考虑的选项之一。