DTC015EEBTL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC015EEBTL

商品编码: BM0107671658
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT3F(SOT-416FL)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 20mA 1个NPN-预偏置 SC-89(SOT-490)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.457
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.457
--
200+
¥0.153
--
1500+
¥0.095
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC015EEBTL参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)100 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 500µA,5mA频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-89,SOT-490供应商器件封装EMT3F(SOT-416FL)

DTC015EEBTL手册

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DTC015EEBTL概述

DTC015EEBTL 产品概述

产品简介

DTC015EEBTL 是一款高性能的 NPN 类型数字晶体管,采用表面贴装型(SMD)封装,特别适用于低功耗、高密度电子电路的应用。该晶体管的主要特点包括最大集电极电流为 20mA,最大集射极击穿电压为 50V,以及出色的频率特性和低饱和压降,是驱动、开关和放大应用等多种场景的理想选择。

主要参数

  • 晶体管类型: NPN 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 20mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
  • 基极电阻 (R1): 100 kΩ
  • 发射极电阻 (R2): 100 kΩ
  • DC 电流增益 (hFE): 最小值 80 @ 5mA, 10V
  • 饱和压降 (Vce_sat): 最大值 100mV @ 500µA, 5mA
  • 频率特性: 250MHz
  • 最大功率 (Pd): 150mW
  • 封装类型: SC-89 (SOT-490)
  • 供应商器件封装: EMT3F (SOT-416FL)

应用范围

DTC015EEBTL 的广泛应用主要包括以下几个领域:

  1. 数字电路: 由于其预偏压特性,该晶体管可用于数字电路中的信号开关和逻辑门电路,确保高效的信号传输与处理。

  2. 小信号放大器: DTC015EEBTL 的 DC 电流增益高达 80,使其能够用作小信号放大器,适合音频和视频信号的放大需求,提升信号的质量。

  3. 驱动电路: 可作为驱动级元件,用于驱动小型继电器、LED 和其他小功率负载,具有较低的饱和压降和较高的工作频率,可以有效控制负载。

  4. 电池供电设备: 其低功耗特性(最大功率仅为 150mW)和高效率使得 DTC015EEBTL 适合用于便携式电器和电池供电设备,延长设备的使用时间。

性能特点

  • 高频特性: DTC015EEBTL 具备高达 250MHz 的跃迁频率,使其在信号处理和通信设备中表现出色,能够处理快速变动的信号。

  • 低饱和压降: 在 5mA 的工作状态下,其饱和压降仅为 100mV,意味着在工作时产生的热量较小,有助于提升系统的整体效率。

  • 适用环境广泛: 该晶体管采用 SMD 封装,方便在自动化生产中集成,且具备较好的抗干扰能力,能够在各种环境下稳定工作。

  • 节能设计: 通过合理选择基极和发射极电阻,DTC015EEBTL 可在不同的应用场景中实现最优化的功耗设计,尤其适合现代电子产品对节能的高需求。

总结

总之,DTC015EEBTL 作为一款性能优越的 NPN 数字晶体管,凭借其出色的电气特性和适应性,已成为现代电子设备中不可或缺的元件。无论在移动设备、消费电子产品,还是在工业控制和信息处理等领域,DTC015EEBTL 都展现出了强大的适应能力和可靠性,满足了多种应用场景的需求,是设计师在选择元器件时值得信赖的选择。