晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 320mV @ 50mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 100mA,2V |
功率 - 最大值 | 2W | 频率 - 跃迁 | 110MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT717TA是一款高性能的PNP型三极管,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高电流和低饱和压降的场合。此器件由美台DIODES公司生产,具有良好的热稳定性和出色的工作特性。其兼具高电流增益和适当的频率响应,使其成为设计师在高效电源和放大器电路中的理想选择。
电流与电压特性: FZT717TA的集电极最大工作电流 (Ic) 达到3A,能够满足高负载需求。这使得它在功率放大应用中表现出色。同时,器件的集射极击穿电压 (Vce) 最大值为12V,保证了在多种工作环境下的稳定性。低电压操作使其能够在小型设备中实现更高效率。
饱和压降: 在工作条件下,FZT717TA提供了低至320mV的饱和压降(Vce饱和压降),这对于提升整体效率尤为重要。此项特性即使在较高电流(如3A)的条件下仍能保持低损耗,确保电源管理系统的稳定运行。
电流增益: 本器件的直流电流增益 (hFE) 在100mA、2V条件下最低可达到300,这为各种放大和开关电路提供了强劲的驱动能力。高增益意味着在小基极电流 (Ib) 驱动下,仍可实现较大的集电极电流 (Ic),这对于低功耗设计尤为重要。
频率响应: FZT717TA的跃迁频率为110MHz,这使得该三极管能够应用于高速开关和高频信号放大场合。设计师可以在更高的工作频率下保持良好的线性和稳定性,扩展了其在无线通信和数据处理设备中的应用潜力。
工作温度范围: FZT717TA的工作温度范围广泛,-55°C到150°C的工作环境确保了其在极端条件下的可靠性,适用于军事设备、汽车电子以及恶劣环境的消费电子产品。
封装和安装: 该元件采用SOT-223封装,适合表面贴装(SMD),便于自动化生产。其小巧的尺寸(TO-261-4和TO-261AA封装选项)使得在空间有限的电路板上布局更加灵活,为现代紧凑型设备的设计提供了便利。
FZT717TA适用于各种应用场景,包括但不限于:
FZT717TA是一款多功能的PNP型BJT三极管,凭借其高电流、高增益和良好的频率响应,成为电源管理、音频放大和信号处理等多种电子应用中的理想选择。无论是在高性能、环境苛刻的应用还是在普通家电中,该元件都能发挥重要的作用。其高效的设计和极小的封装进一步增强了其在现代电子设备中的应用潜力,推动了电子技术的进步。