SIA537EDJ-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SIA537EDJ-T1-GE3

商品编码: BM0107671639
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SC-70-6 双
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-12V-20V-4.5A-7.8W-表面贴装型-PowerPAK®-SC-70-6-双
库存 :
10846(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.11
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.11
--
100+
¥1.7
--
750+
¥1.51
--
1500+
¥1.42
--
3000+
¥1.36
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SIA537EDJ-T1-GE3参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)28 毫欧 @ 5.2A,4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.5AFET 类型N 和 P 沟道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)455pF @ 6V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)16nC @ 8V漏源电压(Vdss)12V,20V
FET 功能逻辑电平门功率 - 最大值7.8W
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA封装/外壳PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装PowerPAK® SC-70-6 双

SIA537EDJ-T1-GE3手册

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SIA537EDJ-T1-GE3概述

产品概述:SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3是一款高性能、低导通电阻的MOSFET阵列解决方案,由威世(VISHAY)生产,适用于各种电子设备中的功率管理和开关控制应用。该产品采用表面贴装型设计,封装为PowerPAK® SC-70-6双元件配置,适合于空间受限的电路设计,同时提供优越的电气特性和热管理能力。

主要技术参数

  1. 安装类型: 表面贴装型
  2. 导通电阻(Rds(on)): 最大28毫欧,@ 5.2A,4.5V
  3. 漏极电流 (Id): 4.5A(在25°C时持续工作)
  4. FET类型: N沟道与P沟道
  5. 漏源电压 (Vdss): 12V与20V(适应多种应用场景)
  6. 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大1V @ 250µA
  7. 输入电容 (Ciss): 最大455pF @ 6V,提供快速开关性能
  8. 栅极电荷 (Qg): 最大16nC @ 8V,确保快速驱动
  9. 最大功率: 7.8W,适合高功率密度设计
  10. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C,适应严苛环境

产品特点

SIA537EDJ-T1-GE3在功率管理和信号处理方面提供显著优势。其低导通电阻使其在高电流应用中能够降低功率损耗,减少发热量,更有效地提高整体系统的能量效率。MOSFET的逻辑电平门特性使其能够通过较低的栅极驱动电压(如4.5V)实现高效控制,特别适合与微控制器或数字电路集成,简化电路设计。

此外,该产品具有出色的热稳定性,工作温度范围为-55°C至150°C,使其能够在极端的温度条件下稳定运行,适合广泛的工业应用和高可靠性的汽车电子,更是满足各种环境要求所需的理想选择。

应用领域

SIA537EDJ-T1-GE3非常适用于以下应用:

  1. 电源管理: 在DC-DC转换器和开关电源中,作为开关元件,实现高效的能量转化。
  2. 马达控制: 用于电动机驱动电路中,节省能量并提高负载响应速度。
  3. 负载开关: 在小型电子设备中,作为负载控制开关,提供可靠的电流控制功能。
  4. 汽车电子: 在温度波动较大的环境中,作为电源开关和负载控制,确保系统可靠运行。
  5. 消费电子: 应用于小型便携式设备中,如移动电话和便携式充电器,以实现高效的功率管理。

结论

总体而言,SIA537EDJ-T1-GE3是一款高性能且灵活应用的MOSFET阵列,具备卓越的电气特性和良好的散热性能,适合一系列电源管理与控制应用。凭借其低导通电阻、优越的温度稳定性和宽广的应用范围,该MOSFET阵列无疑是现代电子设计中不可或缺的核心元件之一。通过选用SIA537EDJ-T1-GE3,工程师能够更好地满足日益增长的能效需求与系统集成挑战。