STL2N80K5

STL2N80K5 产品概述

产品简介

STL2N80K5 是一种高性能 N 通道 MOSFET，专为高压应用设计，具备出色的电流管理能力和热性能。该元器件由意法半导体（STMicroelectronics）生产，采用 PowerFlat™（5x6 mm）封装，确保其在表面贴装应用中的灵活性和便捷性。其卓越的规格使其广泛应用于各类电源管理、逆变器以及功率变换器等领域。

主要参数

• 技术类型：N 通道 MOSFET
• 漏源电压（Vdsmax）：800V，适合高压环境
• 连续漏极电流（Id）：2A（在结温 Tc 下），适应中等电流需求
• 栅极驱动电压：最小 10V，用于实现低导通电阻状态
• 导通电阻（Rds(on)）：最大 4.9Ω @ 1A，10V，相对较低的导通电阻提升了能效
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大 5V @ 100µA，确保在合理的控制信号下开启
• 栅极电荷（Qg）：3nC @ 10V，实现快速开关性能
• 输入电容（Ciss）：最大 95pF @ 100V，适用于高频应用
• 功率耗散：最大 33W（Tc），良好的热管理特性
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ），适用于苛刻的环境条件

适用领域

STL2N80K5 的高电压和适中的电流能力，使其成为多个应用场景的理想选择，包括但不限于：

1. 电源转换：能够在高压电源中有效管理负载，适合 AC/DC 变换器和 DC/DC 转换器。
2. 逆变器应用：用于光伏逆变器和电动汽车等，可提供稳定的电流输出。
3. 电机驱动：在电机控制中提供效率高且可靠的电流管理，尤其是步进电机和无刷直流电机。
4. 开关电源(SMPS)：在开关模式电源设计中，帮助实现高效的能量转换。

设计优势

STL2N80K5 的设计强调高效率和低损耗，提升了系统的整体性能。其低 Rds(on) 值确保在导通状态下产生更少的热量，有助于降低冷却需求和延长设备寿命。此外，宽广的工作温度范围和 robust 的热特性，使其能够在极端条件下稳定运行。

封装和集成

采用 PowerFlat™（5x6 mm）封装，不仅提高了空间利用率，还优化了散热性能，使得该器件可以在较小的空间内进行高效的电源管理。该封装设计也简化了与其他元器件的集成，便于设计师创建紧凑而高效的电路。

结论

STL2N80K5 是一种高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其高达 800V 的漏源电压、较低的导通电阻及出色的热性能，为各种高压应用提供了理想的解决方案。其灵活的封装设计使其适合现代紧凑型电子产品，成为电源管理和电机控制等领域设计工程师的优选材料。无论是在工业设备、消费电子还是电源系统中，STL2N80K5 都可以大大提升系统的电气性能和可靠性。