PUMZ1,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PUMZ1,115

商品编码: BM0107671594
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-363-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.013g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 40V 100mA NPN+PNP SOT-363
库存 :
3720(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.372
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.372
--
200+
¥0.24
--
1500+
¥0.209
--
3000+
¥0.184
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PUMZ1,115参数

制造商Nexperia USA Inc.包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)200mV @ 5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 1mA,6V功率 - 最大值300mW
频率 - 跃迁100MHz工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装6-TSSOP基本产品编号P*MZ1

PUMZ1,115手册

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PUMZ1,115概述

PUMZ1,115 产品概述

制造商与品牌
PUMZ1,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能双极晶体管(BJT),该品牌以其高品质和可靠性著称。作为在半导体行业内具有较强影响力的厂家,Nexperia 提供各类电子元器件,广泛应用于消费电子、自动化控制及电力管理等领域。

电子元器件特性
PUMZ1,115 是一款极为有效的 NPN 和 PNP 三极管,具有多种优异性能。这款产品支持的额定电流可达 100mA,集电极-射极最大击穿电压为 40V,适合于多种低功耗应用中。其最大功耗为 300mW,频率上限可达 100MHz,这使得 PUMZ1,115 在开关和信号处理电路中表现卓越。

关键参数

  • 类型: NPN 和 PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 40V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在 5mA 时,最大值为 200mV,50mA 时同样为 200mV,保证在低电平驱动下也能保持良好的导通性能。
  • 集电极-发射极电流截止 (ICBO): 最大 100nA,表明在高阻态下,漏电流极低,从而提高了整体电路的稳定性。
  • DC 电流增益 (hFE): 在 1mA 和 6V 下,最小值为 120,表现出良好的放大能力。

工作条件
PUMZ1,115的工作温度可达 150°C,这一特点使其适用于诸如汽车电子、高温工业控制和其他严苛环境中的应用。同时,该器件采用的 SOT-363 封装为其提供了优良的热管理和电气性能,使得 PUMZ1,115 在相同尺寸的其他晶体管中具有竞争力。

应用场景
PUMZ1,115 可广泛应用于各种电子电路中,例如:

  • 开关电源: 在低功耗和高性能的开关电源中作为开关元件,以提高效率和降低电池消耗。
  • 线性放大器: 在音频和信号调制解调应用中可以作为放大器,提高信号品质。
  • 驱动电路: 用于驱动电机、继电器和其他负载,特别是在需要正负电源的控制电路中。
  • 高频应用: 由于其高达 100MHz 的频率响应,PUMZ1,115 可以有效用于 RF(射频)信号的处理。

封装与安装
该产品采用 6-TSSOP(SOT-363)封装,属于表面贴装型设计,适合于现代小型化电子产品的 PCB(印刷电路板)设计。这一封装不仅具有较小的占板面积,同时也便于高密度布局,适应了当前设计对小型化、轻量化的需求。

总结
PUMZ1,115 是一款性能强大、广泛适应各种工作环境的 NPN + PNP 晶体管,凭借其良好的电气特性、低功耗、高带宽及可靠的工作温度范围,成为电子设计师优选的元器件之一。无论是在新产品开发,还是在现有应用的优化中,PUMZ1,115 都能为设计团队提供强有力的技术支持和保障。