制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN,PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP | 基本产品编号 | P*MZ1 |
制造商与品牌
PUMZ1,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能双极晶体管(BJT),该品牌以其高品质和可靠性著称。作为在半导体行业内具有较强影响力的厂家,Nexperia 提供各类电子元器件,广泛应用于消费电子、自动化控制及电力管理等领域。
电子元器件特性
PUMZ1,115 是一款极为有效的 NPN 和 PNP 三极管,具有多种优异性能。这款产品支持的额定电流可达 100mA,集电极-射极最大击穿电压为 40V,适合于多种低功耗应用中。其最大功耗为 300mW,频率上限可达 100MHz,这使得 PUMZ1,115 在开关和信号处理电路中表现卓越。
关键参数
工作条件
PUMZ1,115的工作温度可达 150°C,这一特点使其适用于诸如汽车电子、高温工业控制和其他严苛环境中的应用。同时,该器件采用的 SOT-363 封装为其提供了优良的热管理和电气性能,使得 PUMZ1,115 在相同尺寸的其他晶体管中具有竞争力。
应用场景
PUMZ1,115 可广泛应用于各种电子电路中,例如:
封装与安装
该产品采用 6-TSSOP(SOT-363)封装,属于表面贴装型设计,适合于现代小型化电子产品的 PCB(印刷电路板)设计。这一封装不仅具有较小的占板面积,同时也便于高密度布局,适应了当前设计对小型化、轻量化的需求。
总结
PUMZ1,115 是一款性能强大、广泛适应各种工作环境的 NPN + PNP 晶体管,凭借其良好的电气特性、低功耗、高带宽及可靠的工作温度范围,成为电子设计师优选的元器件之一。无论是在新产品开发,还是在现有应用的优化中,PUMZ1,115 都能为设计团队提供强有力的技术支持和保障。