驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 290mA,600mA | 输入类型 | 反相,非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 70ns,35ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
DGD2103MS8-13是由著名电子元件制造商DIODES(美台)生产的一款高性能栅极驱动器。该产品采用8-SOIC封装,具备卓越的电气性能和多样的应用场景,是高电压驱动应用的理想选择。
DGD2103MS8-13的驱动配置为半桥,并且采用独立式通道设计,这为用户提供了更灵活的电路设计选择。该驱动器内置两路通道,使其适合于需要驱动多个功率开关的应用。该产品最大支持600V的高电压自举,能够满足高压电源和电动机驱动等苛刻环境下的使用要求。
该驱动器的供电电压范围为10V至20V,适合各种应用的电源设计。其峰值电流输出分别为290mA(待灌入)和600mA(拉出),能够快速有效地驱动IGBT和N沟道MOSFET。这使得DGD2103MS8-13在要求快速开关和响应的应用场景中表现出色。
在输入逻辑电压方面,DGD2103MS8-13的VIL和VIH分别为0.8V和2.5V,确保了它可以与各种数字逻辑电路兼容。据此,工程师在设计时可以轻松实现信号的控制和切换。
在高频应用中,上升和下降时间是评估栅极驱动器性能的重要指标。DGD2103MS8-13的上升时间典型值为70ns,下降时间为35ns,意味着它具备较快的切换速度,使电路能够在瞬时高频信号的情况下保持卓越的性能。
DGD2103MS8-13能够在-40°C至150°C的广泛工作温度范围内稳定运行,这使得它非常适合于工业环境、高温、高湿度及其他严苛条件下的应用。可靠性高,适用于各种恶劣环境。
该栅极驱动器设计为表面贴装型,便于在现代电子设备中实现更小的尺寸和更高的集成度。8-SO封装的设计(0.154"宽,3.90mm)提供了优化的散热和电气性能,为工程师提供了更大的设计自由度。
DGD2103MS8-13适用于多种场合,包括电动机控制、逆变器、开关电源与能源管理等。其高电压、高电流的特点,使其不仅能在工业电源中使用,也能够广泛应用于消费电子、汽车电子及新能源领域。如在电动汽车的驱动系统中,该栅极驱动器可以有效地保障IGBT和MOSFET的稳定工作,实现高效的能量转换与管理。
DGD2103MS8-13是性能卓越的栅极驱动器,凭借其高压特性、宽广的工作温度范围和优秀的电气参数,成为高频方波驱动、电动机控制及其他高要求应用的理想选择。其兼容性、可靠性和灵活性,为电子设计师提供了强大的功能和极高的设计效率。无论是在工业设备、消费电子还是汽车电子领域,DGD2103MS8-13都是值得信赖的解决方案。