晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SMT3 |
DTA143TKAT146 是一款由知名半导体制造商 ROHM(罗姆)推出的数字晶体管,采用 TO-236-3(也称为 SOT-23-3)封装和表面贴装(SMD)设计。该器件专为低功耗应用而设计,具有优良的电流控制性能和稳定性,适合用于数字电路的信号放大和开关控制。在现代电子系统中,此型号晶体管能够满足高频率操作的需求,是微控制器、传感器和其他数字设备中的一种理想选择。
DTA143TKAT146 具有以下主要技术参数与特性:
该器件在多个电气特性方面表现出色:
DC 电流增益 (hFE):在 1mA 的集电极电流与 5V 的集电极-发射极电压条件下,hFE 的最小值为 100,这意味着在相对较低的基极驱动条件下,可以实现显著的集电极电流放大。
Vce 饱和压降(最大值):在 250µA 的基极电流和 5mA 的集电极电流下,饱和压降不超过 300mV,确保开关操作时的功耗保持在一个较低的水平。
基极电阻 (R1):基极电阻为 4.7 kOhms,使其在并联设计时能够提供合适的基极电流,从而保持良好的开关性能。
DTA143TKAT146 可广泛应用于以下领域:
在使用 DTA143TKAT146 时,设计者应注意以下几个方面:
总之,DTA143TKAT146 是一款高效且可靠的PNP数字晶体管,卓越的电气特性使其非常适合低功耗数字电子应用。其高频率响应、多种应用场景使其成为设计新一代电子设备的理想选择。此款产品如在设计中合理应用,将大大提高整体系统的性能与可靠性。