晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-723 | 供应商器件封装 | VMT3 |
DTA014TMT2L是一款由著名电子元器件制造商ROHM(罗姆)推出的高性能PNP型数字晶体管,符合现代电子应用对组件高效能、可靠性和便捷性日益增长的需求。这款晶体管采用SOT-723封装,专为表面贴装(SMD)应用设计,广泛适用于各类电子电路中,包括开关控制、信号放大等。
1. 晶体管类型与结构: DTA014TMT2L是PNP型晶体管,具有预偏压功能,这种设计使得该器件在低电压控制情况下表现出良好的开关特性。PNP结构允许用户在负电压环境中使用,特别适合需要反向控制的电路。
2. 电流与电压性能: 该晶体管集电极的最大电流(Ic)为100mA,在此电流条件下,能够承受高达50V的集射极击穿电压(Vceo),这种高电压和电流的承受能力使其适用于各种中低功率应用。例如,在用于马达驱动和继电器控制时,能够提高电路的稳定性和安全性。
3. DC电流增益(hFE): 在5mA的电流条件下,DTA014TMT2L的最小直流电流增益(hFE)为100。这意味着在获得较小基极电流(Ib)的条件下,能有效地提供较大集电极电流(Ic),从而实现信号放大和开关控制。这一特性使它特别适合在高增益要求的电路中使用。
4. 饱和压降: 在500µA至5mA的Ic范围内,DTA014TMT2L的最大Vce饱和压降为150mV。这一低饱和压降值在开关应用中能有效地降低功耗,提高电路效率,特别适合用于电池供电的便携设备中。
5. 集电极截止电流: 在零偏压状态下,该晶体管的集电极截止电流(ICBO)最大为500nA,显示出很好的漏电性能,进一步提升了电路的稳定性,尤其是在高阻抗应用中。
6. 频率特性: DTA014TMT2L具有250MHz的跃迁频率,这意味着它能够支持相对较高的数据传输频率,对于需要频繁开关的应用,如射频电路和快速数字电路,表现尤为出色。
7. 功率处理能力与功耗: 该晶体管的最大功率处理能力为150mW,使其在面对切换和放大过程中的热量产生时,仍能保持良好的工作状态。这种功率和电压的平衡性,使得其在现代电子设备中极具应用价值。
DTA014TMT2L是一款多用途的PNP晶体管,广泛适用于以下场景:
DTA014TMT2L以VMT3(SOT-723)封装形式提供,适合于表面贴装(SMD)技术。这种封装结构不仅减小了PCB占用面积,同时便于自动化生产线的快速贴装,降低了生产成本。
总之,ROHM的DTA014TMT2L是一款性能卓越的PNP数字晶体管,凭借其良好的电流电压特性、高增益和频率响应,能够适应各种电子应用的需求。无论在工业、消费电子还是汽车应用中,DTA014TMT2L都是一个可靠的选择,提供高效的电源管理和信号处理能力,支持现代电子设备的创新与发展。