IRFPF50PBF
IRFPF50PBF参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | 漏源电压（Vdss） | 900V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 200nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2900pF @ 25V |
| 基本产品编号 | IRFPF50 |
IRFPF50PBF手册
IRFPF50PBF概述
IRFPF50PBF 产品概述
一、产品基本信息
IRFPF50PBF是Vishay Siliconix旗下的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），尤其适用于高电压、大功率的电源应用。该器件采用TO-247AC-3封装，具备极佳的散热性能，能够在严苛的工作环境中稳定运行。
二、关键规格
电流和功率能力：在25°C的环境温度下，IRFPF50的连续漏极电流（Id）可达6.7A。该器件的最大功率耗散可达到190W，使其非常适合电力电子和功率转换应用。
电压能力：该MOSFET具有高达900V的漏源电压（Vdss），适合于高压开关或变换器电路，能够承受较高的瞬态电压，从而提高系统的可靠性。
导通电阻：在10V的栅源电压下，IRFPF50的最低导通电阻（Rds On）为1.6Ω（在Id=4A时测得），这一参数使得它在工作时能够保持较低的能量损耗，提高整体效率。
栅极驱动特性：该MOSFET的最大栅源电压（Vgs）为±20V，确保在各种驱动条件下的稳定运行。栅极电荷（Qg）最大值为200nC，在10V下工作时，说明其响应速度较快，非常适合高频开关应用。
栅阈值电压：该产品的栅阈值电压（Vgs(th)）最大为4V（在250µA时测量），提供了良好的传导开启特性，为设计人员在电路设计时提供了更多的灵活性。
工作温度范围：IRFPF50可在-55°C至150°C的广泛工作温度范围内稳定运行，适合在极端环境下工作，确保长期的可靠性。
输入电容：该器件在25V时的输入电容（Ciss）最大为2900pF，足以满足大部分电源转换应用中所需的输入特性。
三、应用领域
IRFPF50PBF广泛用于以下应用领域：
- 开关电源：由于其高电压和高功率能力，非常适用于DC-DC转换器和AC-DC开关电源。
- 电动汽车和新能源汽车：在电池管理系统及电动驱动系统中，IRFPF50可作为功率转换器核心元件。
- 工控设备：在工业自动化和电机控制领域，该器件因其高可靠性和性能稳定性而被广泛应用。
- 高频切换应用：其较低的导通电阻及快速的栅极响应特性适合高频开关应用，对降低功耗至关重要。
四、总结
IRFPF50PBF作为一款高性能的N沟道MOSFET，不仅具备高电压、高功率的特点，并且在导通电阻、热稳定性及频率响应等方面均表现出色。这使得IRFPF50非常适合于对性能要求严苛的电力电子设备及系统。Vishay Siliconix凭借其深厚的技术积累与创新能力，使得IRFPF50在市场上有着广泛的应用可能性，是设计工程师们解决高效能电源转换问题的重要选择。