STP80NF70
STP80NF70参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 68V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 98A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.8 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 75nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2550pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP80NF70手册
STP80NF70概述
STP80NF70 产品概述
产品简介
STP80NF70 是一款高性能 N 通道 MOSFET，来自意法半导体（STMicroelectronics），设计用于需要高电压和大电流处理的应用。该器件采用 TO-220AB 封装，具有优异的散热特性，适合用于功率驱动、电源管理和电机控制等各种电子应用场景。
主要参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：68V
- 最大连续漏极电流（Id @ 25°C）：98A
- 导通电阻（Rds On）：在 10V 的栅极驱动电压下，40A 时最大导通电阻为 9.8 毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 4V（@ 250µA）
- 栅极电荷（Qg）：在 10V 下最大值为 75nC
- 栅源电压（Vgs max）：±20V
- 输入电容（Ciss max）：2550pF（在 25V 时）
- 最大功率耗散：190W（@ Tc）
- 工作温度范围：-55°C 到 175°C
- 封装类型：TO-220AB
性能特点
STP80NF70 提供了良好的电流处理能力和低导通电阻，适合用于高功率应用。其最大连续漏电流为 98A，漏源电压可达 68V，确保其可以在严苛的工作环境中工作。其最大导通电阻为 9.8 毫欧，这在高电流场合下能够显著降低功耗，提高系统的整体效率。
该器件的高工作温度范围（-55°C 到 175°C）使其特别适合在极端温度条件下运行，例如汽车电子、工业控制和航空航天等领域。由于 MOSFET 的特性，STP80NF70 在切换速度方面表现出色，能够满足快速开关的需求。
应用场景
STP80NF70 的应用范围相当广泛，涵盖了多个领域。在电源管理中，它可以用于DC-DC转换器，帮助实现高效的电能转换。在电机驱动方面，该器件能够高效控制电机的开关，适用于电动汽车和电工工具等应用。此外，它也适合用于照明控制、UPS 系统和其他高电流、高功率的电子设备中。
在设计中，设计师可以利用其良好的功率处理能力和低导通电阻，从而提高整个系统的性能和可靠性。无论是用于简单的开关电路，还是复杂的电源供应解决方案，STP80NF70 都是一个值得考虑的候选元件。
总结
STP80NF70 是一款功能强大、应用广泛的 N 通道 MOSFET，由意法半导体提供。凭借其高电流和电压处理能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围，它成为高效电源管理和电机控制方案中的理想选择。在快速发展的电子市场中，STP80NF70 的性能和可靠性将为设计师和工程师提供他们所需的支持，以实现高效和稳定的电子解决方案。