UMD3NFHATR
UMD3NFHATR参数
| 晶体管类型 | NPN + PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
UMD3NFHATR手册
UMD3NFHATR概述
产品概述：UMD3NFHATR（ROHM）
UMD3NFHATR 是一款高性能的 NPN/PNP 晶体管，专为多种电子应用而设计，其出色的电子参数使其在现代电路和设备中具有广泛的应用潜力。该器件采用 SOT-363、UMT6 和 6-VSSOP 封装，具有紧凑的尺寸和优异的热性能，使其特别适合于表面贴装技术（SMT）需求。
基本参数
UMD3NFHATR 能够释出高达 100mA 的集电极电流（Ic），并具备 50V 的最大集射极击穿电压（Vce），适合多个电源电压等级的应用。该器件仅需 10 kΩ 的基极电阻（R1）和发射极电阻（R2）即可实现优良的开关特性，并允许用户根据具体需求进行灵活设计。其最小直流电流增益（hFE）可达 30，通常在 5mA 的集电极电流和 5V 的工作电压下测量。这种高增益特性保证了电流放大应用中的优异性能，确保必要的输出驱动能力。
饱和压降与截止电流
UMD3NFHATR 的 Vce 饱和压降在不同电流条件下表现良好，其最大值为 300mV，适用于在 500µA 和 10mA 的工作条件下。较低的饱和压降意味着更高的功率效率，尤其是在需要小型化或低功耗的应用中。此外，该器件在截止状态下的集电极电流最大为 500nA，确保在关闭状态下几乎无功耗，为大多数移动设备和低功耗设计提供了理想选择。
频率与功率处理能力
UMD3NFHATR 具有高达 250MHz 的跃迁频率，意味着其能够在高速开关应用中表现优异，非常适合于射频（RF）和高速数字电路。它的最大功率额定为 150mW，这使得该器件可以同时满足大功率和低功耗的各种应用需求。该特性使得 UMD3NFHATR 在诸如音频放大器、电源管理、开关电源等众多领域中得到广泛应用。
封装与安装
UMD3NFHATR 采用 SOT-363 封装，典型的高度集成度使得在有限的空间内获得良好的性能。同时，UMT6 的封装设计也有助于散热，提高了设备的可靠性。在日益追求小型化和高密度设计的现代电子产品中，该特性尤为重要。
应用场景
由于其良好的电气特性和紧凑的封装设计，UMD3NFHATR 适用于多种应用场景，包括：
- 消费电子：可用于手机、平板电脑、可穿戴设备等，提供高效的电源管理与信号处理能力。
- 工业设备：在机器人、电机控制器及其它工业设备中，UMD3NFHATR 可用作开关和放大器。
- 通信设备：高跃迁频率使其在 RF 应用（如信号放大和调制）中表现出色。
- 电源管理：适合开关电源、DC-DC 转换器等，提供高效的电流处理能力。
结论
总之，UMD3NFHATR 是一款功能全面而可靠的 NPN/PNP 晶体管，能够满足多种现代电子应用需求。其高电流增益、低饱和压降规定和高跃迁频率，使其成为高效能电子设计中的理想选择。无论是在低功耗消费电子、工业应用还是通信设备中，UMD3NFHATR 都能提供优异的性能与可靠性。无论您是在开发新产品还是优化现有设计，这款晶体管都将是您值得信赖的选择。