IRLU120NPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRLU120NPBF

商品编码: BM0107671377
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-251AA(IPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
1.057g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 48W 100V 10A 1个N沟道 TO-251(IPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.52
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.52
--
100+
¥3.76
--
750+
¥3.49
--
1500+
¥3.32
--
3000+
¥3.16
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRLU120NPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)185 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)20nC @ 5V
Vgs(最大值)±16V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)440pF @ 25V
功率耗散(最大值)48W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装IPAK(TO-251)
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

IRLU120NPBF手册

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IRLU120NPBF概述

产品概述:IRLU120NPBF

1. 产品基本信息: IRLU120NPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,隶属于英飞凌(Infineon)的MOSFET系列。这款器件专为高效能电子电路设计而研发,提供优良的电气特性和热性能。其关键参数包括最大漏源电压(Vdss)为100V,以及最大连续漏极电流(Id)为10A(在适当的散热条件下)。此MOSFET采用TO-251(IPA)封装,适合于各种电子设备中,包括开关电源、逆变器、电动机控制和其他需要高开关频率和低导通损耗的应用。

2. 重要电气参数:

  • 漏源电压(Vdss): 最高可承受100V,使其能够在中等电压应用中使用。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C时,最大电流为10A,适合处理较大功率的应用。
  • 导通电阻(Rds On): 在10V的栅极电压条件下,导通电阻最大值为185毫欧(@6A),确保在操作时的功率损耗极低。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): Vgs(th)最大值为2V(在250µA条件下),这使得MOSFET能够用较低电压实现开关动作,从而能够更好地适应低电压驱动信号。
  • 栅极电荷(Qg): 实测栅极电荷最大值为20nC,@5V,这对快速开关的应用非常关键。
  • 输入电容(Ciss): 在25V的条件下,最大输入电容为440pF,确保快速响应并降低开关损耗。
  • 功率耗散: 在适当的散热条件下,最大功率耗散为48W,使得该器件在高负载条件下仍能保持良好的性能。
  • 工作温度范围: -55°C到175°C的工作温度范围,适合于高温或极端环境应用。

3. 应用场景: IRLU120NPBF广泛应用于各种电子电路中,尤其是在以下领域:

  • 开关电源(SMPS): 由于其高频响应和低导通损耗,适用于设计高效的电源模块。
  • 电动机控制: 适合于DC-DC转换器和电动机驱动电路,提供可靠性和效率。
  • 逆变器: 在光伏、UPS及电动车等领域,优化电能的转换过程。
  • 电子负载: 能够在不同负载条件下稳定工作,广泛用于测试与测量设备中。

4. 封装与安装: IRLU120NPBF采用TO-251(IPA)封装,特点是短引线设计,便于在电路板上实现更紧凑的布局和更好的热管理。这种封装形式适合通孔安装,使得在PCB上的焊接方便可靠,同时为后续的散热提供了良好的机械支持。

5. 结论: 综上所述,IRLU120NPBF是一款性能卓越的MOSFET,提供了高效能和可靠性,非常适合用于需要高电压、高流量和高温环境的应用。其低导通电阻和广泛的工作温度范围使其在现代电子设计中成为一种理想选择。无论是开关电源、逆变器还是电动机控制,该产品都能够满足客户的高要求,是集成电路设计师和电子工程师理想的解决方案。