FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 185 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 5V |
Vgs(最大值) | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 440pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 48W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | IPAK(TO-251) |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
1. 产品基本信息: IRLU120NPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,隶属于英飞凌(Infineon)的MOSFET系列。这款器件专为高效能电子电路设计而研发,提供优良的电气特性和热性能。其关键参数包括最大漏源电压(Vdss)为100V,以及最大连续漏极电流(Id)为10A(在适当的散热条件下)。此MOSFET采用TO-251(IPA)封装,适合于各种电子设备中,包括开关电源、逆变器、电动机控制和其他需要高开关频率和低导通损耗的应用。
2. 重要电气参数:
3. 应用场景: IRLU120NPBF广泛应用于各种电子电路中,尤其是在以下领域:
4. 封装与安装: IRLU120NPBF采用TO-251(IPA)封装,特点是短引线设计,便于在电路板上实现更紧凑的布局和更好的热管理。这种封装形式适合通孔安装,使得在PCB上的焊接方便可靠,同时为后续的散热提供了良好的机械支持。
5. 结论: 综上所述,IRLU120NPBF是一款性能卓越的MOSFET,提供了高效能和可靠性,非常适合用于需要高电压、高流量和高温环境的应用。其低导通电阻和广泛的工作温度范围使其在现代电子设计中成为一种理想选择。无论是开关电源、逆变器还是电动机控制,该产品都能够满足客户的高要求,是集成电路设计师和电子工程师理想的解决方案。