IRFH7446TRPBF
IRFH7446TRPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 85A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 毫欧 @ 50A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 100µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 78W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） | 封装/外壳 | 8-TQFN 裸露焊盘 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 98nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3174pF @ 25V |
IRFH7446TRPBF手册
IRFH7446TRPBF概述
Infineon IRFH7446TRPBF 产品概述
一、概述
Infineon Technologies推出的IRFH7446TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，属于其HEXFET®和StrongIRFET™系列。该元器件采用了最先进的MOSFET技术，专为高效能和高可靠性的应用设计，尤其适用于需要频繁开关操作的电力电子设备。IRFH7446TRPBF为设计工程师提供了一个理想的解决方案，以实现客户产品在功率控制方面的高效和稳定。
二、主要特性
电流与功率处理能力
IRFH7446TRPBF具有85A的持续漏极电流（Id），在适当的散热条件下，其功率耗散最高可达78W。这使得该MOSFET在高负载条件下仍能够保持良好的温度性能和工作稳定性。电压等级
该器件的漏源电压（Vdss）为40V，适合中等电压的应用场景，能够满足多种电源管理、转换和电机控制等需求。低导通电阻
IRFH7446TRPBF在10V栅极驱动电压下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为3.3毫欧（@50A），这意味着在导通过程中能量损耗极小，有助于提升系统的整体效率，尤其在高频开关应用中表现尤为突出。广泛的工作温度范围
该MOSFET支持-55°C至150°C的工作温度，使得它能够在严苛的环境条件下稳定工作，适合工业、汽车、航空航天等高温、低温场合。高速开关特性
IRFH7446TRPBF的栅极电荷（Qg）为98nC（@10V），输入电容（Ciss）为3174pF（@25V），具备出色的开关特性，适用于快速开关应用，有效地减少了开关损耗和EMI（电磁干扰）。封装类型与安装方式
该器件采用8-PQFN（5x6）表面贴装封装，具有较小的占板空间及良好的热性能，方便自动化生产线的高速组装。
三、应用场景
IRFH7446TRPBF广泛应用于电源管理、电机驱动、变流器、开关电源（SMPS）、电池管理系统（BMS）等场合。其高电流处理能力和低导通电阻特性，使得其在高功率应用中表现出色。
电源管理
该MOSFET适用于各种DC-DC转换器和AC-DC电源中，能够有效优化能量传递，并提升电源的转换效率。电机驱动
在电动机驱动器中，IRFH7446TRPBF能够提供可靠的高功率开关，保证电动机在不同负载条件下的性能。可再生能源
在太阳能逆变器及电池储能系统中，该MOSFET的高效特性帮助优化能量转换，提升系统整体效率。高频开关电路
适用于高频开关电路，IRFH7446TRPBF能够在频繁开关下保持低开关损耗，从而提升系统的工作效率与可靠性。
四、总结
综上所述，Infineon的IRFH7446TRPBF是一款极具竞争力的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电流承载能力、低导通电阻、高效率和宽温工作范围，成为各种电力电子应用中的理想选择。无论是在电源管理、功率放大还是模块化逆变器中，IRFH7446TRPBF都能够为工程师提供可靠的解决方案，支持其在复杂的工程设计中追求卓越性能。