反向恢复时间(trr) | 25ns | 反向电流(Ir) | 5uA@200V |
商品分类 | 开关二极管 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
整流电流 | 1A | 正向压降(Vf) | 920mV@1A |
直流反向耐压(Vr) | 200V |
FES1DE-7是一款高效能的开关二极管,特别设计用于各种电子应用领域,如开关电源、电源管理和信号整流等。该器件通常采用DO-219AA封装,具备优异的电气特性,如920mV的正向压降(@1A)、最大反向电压为200V、以及在200V的反向偏置下仅有5uA的漏电流,这使得它在高电压和高频率的应用场景中尤为出色。
低正向压降:920mV的特性在1A电流下表现出良好的导通状态,降低了功率损耗,提高了整体效率。这对于需要高效电源转换的应用特别重要。
高反向电压:FES1DE-7可承受高达200V的反向电压,能够在多种高电压环境中稳定工作,适宜于电力电子相关的设备。
极低的漏电流:在200V条件下,仅5uA的漏电流使其在待机状态下具备优秀的能效表现,有助于减少整体能耗。
优秀的温度特性:结构设计能够在广泛的温度范围(-55°C到+150°C)内正常工作,适合不同环境的电子设备,确保在严苛条件下的可靠性。
快速恢复特性:适用于高频开关电源,与传统硅二极管相比,具有更快的开关速度,减小了开关损耗,提高了系统的响应速度。
FES1DE-7广泛应用于多个领域,以下是一些主要的应用场景:
FES1DE-7采用DO-219AA封装,这种封装形式能有效散热,适合高功率应用。小巧的尺寸使其能够方便地集成到各种电路中,适用于空间有限的产品设计。
FES1DE-7作为一款优秀的开关二极管,凭借其低正向压降、高反向电压能力、极低的漏电流和优异的温度特性,成为电子设计工程师的首选元件之一。无论是在电源管理、开关电源、信号整流,还是电机驱动车辆中,该器件都能够满足高效率和高性能的需求,推动着现代电子技术的不断进步。