IRF9Z34NSPBF
IRF9Z34NSPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | Digi-Key 停产 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），68W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 620pF @ 25V |
IRF9Z34NSPBF手册
IRF9Z34NSPBF概述
IRF9Z34NSPBF 产品概述
基本信息
IRF9Z34NSPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）制造的高性能P沟道MOSFET，属于HEXFET®系列。此款MOSFET封装类型为D2PAK，主要用于各种电力电子应用中，其中其在高温环境下的出色性能和高电流承载能力使其在工业、汽车及消费电子市场中广受欢迎。
主要特性
漏源电压（V_DSS）: 该MOSFET的漏源电压为55V，适用于处理中等电压下的电路，能够有效应对高达55V的工作环境。
连续漏极电流（I_D）: 在25°C的环境温度下，该元件的连续漏极电流可达19A，这使其能够在需要高电流的应用场景中发挥优异的性能。
导通电阻（R_DS(on)）: 在10V的栅极驱动下，最大导通电阻为100毫欧（@ 10A），确保在功率转换过程中减少能量损失，提高整体系统效率。
栅极阈值电压（V_GS(th)）: 该MOSFET在250µA的漏电流下最大阈值电压为4V，能够适应多种控制电路的需求。
温度范围: IRF9Z34NSPBF可在-55°C到175°C的温度范围内稳定工作，这对于航空航天、汽车和工业控制应用是至关重要的。
功率耗散: 最大功率耗散能力为3.8W（在环境温度下）和68W（在冷却条件下），使其能够在需要较高功率处理的环境下正常运行。
栅电荷（Q_g）: 为35nC（@ 10V），在驱动线路的计算中，较低的栅电荷意味着更快的开关速度，从而提升了整体开关频率。
输入电容（C_iss）: 最大输入电容为620pF（@ 25V），适配于高频性能要求的电路设计。
应用场景
IRF9Z34NSPBF在多种应用中显示出强大的适用性，包括但不限于：
- DC-DC转换器: 作为开关元件，广泛应用于各种电源模块，并在伺服与控制系统中起到重要作用。
- 电池管理系统: 利于高效的电量管理和提供安全的电池充放电通道。
- 电动汽车: 在电动汽车及混合动力汽车的动力系统中充当关断或导通控制的核心部件。
- 功率放大器: 在射频和音频应用中，作为功率放大器的关键元件，确保高效信号放大。
结论
作为Infineon Technologies（英飞凌）旗下的HEXFET®系列产品，IRF9Z34NSPBF提供稳定可靠的性能和优异的功率处理能力，是设计工程师在选择P沟道MOSFET时值得考虑的优质选择。通过其广泛的温度范围和强大的电气性能，IRF9Z34NSPBF适用于多种苛刻和复杂的应用环境，确保了其在现代电子设计中的重要地位。