NTZS3151PT1G
NTZS3151PT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 860mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 170mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.6nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 458pF @ 16V |
| 基本产品编号 | NTZS3151 |
NTZS3151PT1G手册
NTZS3151PT1G概述
NTZS3151PT1G 产品概述
一、产品简介
NTZS3151PT1G是一种高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名制造商ON Semiconductor（安森美）生产。该器件具有广泛的应用，适合用于低电压和低功率电子电路中，以提供高效的开关和放大功能。NTZS3151PT1G采用SOT-563封装，适合表面贴装，实现了体积小、重量轻的优点。
二、技术参数
工作电压和电流: NTZS3151PT1G的漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）高达860mA（在25°C环境温度下）。这一参数使得该器件在许多小功率应用场景中得以广泛使用。
导通电阻: 在不同的栅极源电压（Vgs）下，该器件的最大导通电阻（Rds(on)）为150毫欧，@950mA和4.5V驱动电压。这意味着即使在较大的负载条件下，NTZS3151PT1G也能保持较低的损耗和热量生成，以提升系统的效率。
栅极电压与导通特性: NTZS3151PT1G的栅极-源阈值电压（Vgs(th)）最大为1V @ 250µA，确保了即使在较低的驱动电压下也能有效开启。此外，器件的最大栅极电压（Vgs）为±8V，这保证了其在各种工作条件下的稳定性。
输入电容与栅极电荷: 输入电容（Ciss）最大值为458pF @ 16V，而栅极电荷（Qg）最大值为5.6nC @ 4.5V，反映出该器件的快速开关特性，使得在高速开关电路的应用中也能表现良好。
散热特性: NTZS3151PT1G的功率耗散最大为170mW，这使得在绝大多数应用场景下都能够有效控制发热问题，增加系统的稳定性。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围从-55°C到150°C，使其能够在严苛环境下正常工作，适合于如工业控制、汽车电子和航空航天等领域。
三、主要应用领域
NTZS3151PT1G因其高效的电流处理能力和小型封装，适用于多种电子应用，包括但不限于：
- 电源管理: 在DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理电路中用作开关元件。
- 负载开关: 该器件可用于负载开关控制，实现智能负载管理。
- 信号开关: NTZS3151PT1G可以作为低功耗信号开关，用于音频、视频及数据传输线路。
- 电池供电设备: 适合在电池供电的设备中使用，帮助降低能耗和延长电池寿命。
四、封装与安装
作为表面贴装型产品，NTZS3151PT1G采用SOT-563封装，能够支持较高的集成度和回流焊接工艺，适合自动化生产和组装。这种封装形式还能有效减小电路板面积，提升设计灵活性。
五、总结
总体来说，NTZS3151PT1G是一款功能强大、性能优越的P沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高效能、优良的温度适应性以及紧凑封装，是现代电子设计中的理想选择。无论是在电源转换、负载开关还是信号控制处理领域，该器件都能提供可靠的性能和高效的工作效率，适应多种应用需求。