MM3Z13VT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MM3Z13VT1G

商品编码: BM0102938995
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOD-323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
稳压二极管 独立式 13V 12.4V~14.1V 100nA@8V SOD-323
库存 :
335(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.766
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.766
--
200+
¥0.255
--
1500+
¥0.159
--
3000+
¥0.11
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MM3Z13VT1G参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)13V容差±6%
功率 - 最大值300mW阻抗(最大值)(Zzt)30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 8V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA
工作温度-65°C ~ 150°C安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-76,SOD-323供应商器件封装SOD-323

MM3Z13VT1G手册

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MM3Z13VT1G概述

产品概述:MM3Z13VT1G 稳压二极管

一、基本信息

MM3Z13VT1G是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的稳压二极管,主要用途是提供稳定的电压输出和过电压保护。标称齐纳电压为13V,适用于多种电子电路中调节电压及保护元件。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,具有SOD-323封装形式,便于在现代电子设备中减少空间占用,提高集成度。

二、技术参数

  1. 电压特性:

    • 齐纳电压(Vz): 13V,工作范围从12.4V到14.1V,具有良好的电压稳定性,适合用于各种应用。
    • 电流特性:反向泄漏电流在8V时为100nA,表明在非导通状态下器件的低泄漏特性,适合于高敏感度应用。
    • 正向电压(Vf):在10mA的电流下,正向电压为900mV,表明器件在工作时具有合理的正向压降。
  2. 功率和阻抗:

    • 最大功率:300mW,可以在一定的功耗范围内工作,适合于低功耗电路。
    • 最大阻抗(Zzt):30Ω,确保器件具有较低的动态阻抗,从而在负载变化时能够快速响应。
  3. 工作环境:

    • 工作温度范围:-65°C至150°C,适合在各种严苛环境下应用,提供广泛的兼容性。
    • 封装类型:SOD-323,具有良好的热性能和电气特性。

三、应用场景

MM3Z13VT1G稳压二极管广泛应用于以下领域:

  • 电源管理: 用于稳压电路中,帮助提供稳定的电压输出,并抑制电压波动,提高系统的安全性和可靠性。
  • 过压保护: 保护敏感元器件免受瞬时过电压的冲击,确保系统的稳定性,特别是在汽车电子、消费电子等领域。
  • 信号整形: 在信号处理电路中使用,确保信号电平的稳定,提高数据传输的可靠性和精度。

四、竞争优势

  1. 高可靠性: 安森美作为知名半导体制造商,其产品在市场上享有良好声誉,技术实力和产品质量值得信赖。
  2. 小型化设计: SOD-323封装设计,使其在空间受限的应用中具有明显优势,满足现代电子设备对小型化和轻量化的需求。
  3. 优异的电气性能: 低泄漏电流和高稳定性使得MM3Z13VT1G在多种环境条件下依然能够保持卓越的电气性能。

五、结论

MM3Z13VT1G稳压二极管是一款性能优异、适用性广泛的电子元件,凭借其13V的稳压特性和优良的电气参数,在众多应用场景中表现出色。无论是在电源管理、过压保护还是信号整形等方面,该器件都能为设计工程师提供可靠的解决方案。其小型化设计和高温度范围使其成为高要求电子产品中的理想选择。使用MM3Z13VT1G,能有效地提升电子系统的性能与稳定性,促进现代电子科技的不断进步。