驱动配置 | 高端 | 通道类型 | 单路 |
驱动器数 | 1 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 6V,9.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 290mA,600mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 75ns,35ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
IRS2117SPBF 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能高侧栅极驱动器,采用 SOIC-8 封装设计。这款驱动器专为IGBT和N沟道 MOSFET 提供优化的驱动解决方案,广泛应用于工业电源、逆变器、马达驱动和其他要求高效开关控制的应用场景。
IRS2117SPBF 的设计使其适合多个高端应用,包括但不限于:
IRS2117SPBF 的结构设计采用了表面贴装型封装(SOIC-8),便于自动化焊接和大规模生产。其紧凑的尺寸和高性能使得它能够与其他元器件一起设计,便于嵌入各种电路板中。
在设计过程中,工程师需要注意其输入逻辑电压(VIL为6V,VIH为9.5V)的要求,确保在指定范围内操作,以保证驱动器的正常工作。此外,考虑到其相对高的工作温度范围,适当的热管理方案是必要的,以确保器件的长寿命和稳定性。
综上所述,IRS2117SPBF 是一款高效、可靠的高侧栅极驱动器,具备了一系列优异的电气性能,广泛适用于现代高端电源和驱动系统中。无论是在工业还是消费类电子领域,该驱动器都能提供出色的性能表现,满足各类高压和高频应用的需求。选择 IRS2117SPBF,意味着您选择了一款能够确保系统高效运行、稳定工作的先进电子元件。