RTL035N03FRATR

RTL035N03FRATR 产品概述

产品简介

RTL035N03FRATR 是一款由著名半导体制造商 ROHM (罗姆) 提供的 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，是一款适用于多种应用场景的高效能电子元器件。其设计专注于在合理的功率耗散和电流处理能力范围内提供优异的性能，特别适合用于高频开关、功率放大和电源管理电路。

主要参数

• 类型: N 通道 MOSFET
• 封装: TUMT6 (6 引脚 SMD，扁平引线)
• 最大漏源电压 (Vdss): 30V
• 最大连续漏极电流 (Id): 3.5A (25°C 时)
• 最大功率耗散: 1W (25°C 时)
• 导通电阻 (Rds(on)): 最大值 56 毫欧 @ 4.5V，3.5A
• 驱动电压: 2.5V（最小值），4.5V（典型值）
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 1.5V @ 1mA
• 栅极电荷 (Qg): 最大值 6.4nC @ 4.5V
• 输入电容 (Ciss): 最大值 350pF @ 10V
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C

应用领域

RTL035N03FRATR 的设计使其适用于广泛的应用，主要包括：

1. 开关电源: 在电源转换和调制过程中，能够有效地控制电流流动，提供低损耗和高效率的电源管理。
2. 电机驱动: 其高开关速度及持续电流能力，尤其适合用于电机驱动器和相关控制电路。
3. 功率放大器: 经过合理的设计，RTL035N03FRATR 可以应用于音频和射频功率放大器中，以实现高效能的信号放大。
4. LED 驱动器: 在LED照明解决方案中，由于其高效的导通特性，该MOSFET可以用于驱动高亮度LED。

性能优势

RTL035N03FRATR MOSFET 凭借其出色的电气性能，如低导通电阻和较快的开关速度，能够在高频率、低功耗的工作环境中表现优异。同时，其宽广的工作温度范围和较高的功率耗散能力确保在高温环境下也能稳定运行，符合各种工业和消费电子产品需求。

封装和焊接

RTL035N03FRATR 采用 TUMT6 封装类型，适合表面贴装（SMD）技术，能够简化在现代自动化生产中的焊接流程。该封装不仅节省了板空间，而且还能提高元器件的散热效率，确保在高负载工作时保持良好的性能。

结论

综上所述，RTL035N03FRATR 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，具备多个优势并广泛适应多种应用场合。它的低导通电阻、高功率容量和合理的工作温度范围，使其成为电子设计工程师在选择合适元器件时不可或缺的选择。无论是用于开关电源、电机驱动还是高性能放大器，这款 MOSFET 都能满足现代电子设备对效率和可靠性的高要求。对于追求高性能和高效能的电子应用，RTL035N03FRATR 将是一个理想的解决方案。