CJT04N15 产品实物图片
CJT04N15 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CJT04N15

商品编码: BM0100476259
品牌 : 
CJ(江苏长电/长晶)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 130mΩ@10V 150V 4A 1个N沟道 SOT-223-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.08
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.08
--
100+
¥1.59
--
1250+
¥1.39
--
2500+
¥1.31
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

CJT04N15参数

反向传输电容(Crss@Vds)70pF@25V商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V,4A工作温度-55℃~+150℃
栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V漏源电压(Vdss)150V
类型1个N沟道输入电容(Ciss@Vds)900pF@25V
连续漏极电流(Id)4A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

CJT04N15手册

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无数据

CJT04N15概述

CJT04N15 产品概述

一、产品简介

CJT04N15是一款由江苏长电(CJ)生产的N沟道场效应管(MOSFET),其具备优秀的电气特性和广泛的应用潜力。这款MOSFET封装为SOT-223,具有出色的散热性能和适中的体积,适用于多种电子电路,尤其是在功率管理与开关领域。

二、主要规格

  1. 额定电压:CJT04N15具有150V的最大漏极-源极电压(V_DS),使其能够承受高压环境,适合高压开关电路应用。

  2. 漏极电流:其最大漏极电流(I_D)为4A,这样的设计容许MOSFET在多种负载条件下运行,满足了从小功率电子产品到大功率设备的多样化需求。

  3. 导通电阻:在10V的门极电压下,CJT04N15的导通电阻为130mΩ,低导通电阻意味着在工作中消耗的电能更少,效率更高,从而有助于减少电路的整体功耗和发热。

  4. 封装类型:采用SOT-223封装,具有良好的散热性能,能够有效降低温度,提升MOSFET的可靠性与长寿命。

三、应用领域

CJT04N15的设计让它适用于多种电子电路与设备中,包括但不限于以下几个方面:

  1. 开关电源:由于其低导通电阻和高电压承受能力,CJT04N15能够被广泛应用于开关电源中,作为主开关元件进行高频开关操作。

  2. 电源管理:在电池供电的设备中,CJT04N15可以用于电源管理的各种应用,如电源分配和DC-DC转换器,帮助提高转换效率与降低功耗。

  3. 马达驱动:在电机控制应用中,CJT04N15能够高效地控制电机的开启与关闭,适合用于无刷直流电机(BLDC)驱动。

  4. LED驱动:多用于LED照明及显示应用中,通过有效调节电流,以实现稳定的亮度与定时开关,增强系统的灵活性。

四、性能优势

  1. 高效能:凭借低导通电阻设计,CJT04N15在高频开关操作中能显著减少能量损失,提升电源效率,符合现代电子产品对高效能的要求。

  2. 高可靠性:由于具备150V的高耐压特性,CJT04N15适应性强,能够在恶劣条件下稳定工作,确保设备安全,降低故障风险。

  3. 易于集成:SOT-223封装具有小巧的物理尺寸,使其容易与其他元器件集成,适用于空间有限的设计。

  4. 快速响应:该MOSFET具有快速的开启和关断特性,适合高频率开关应用,能够满足现代电气系统对响应速度的要求。

五、总结

总之,CJT04N15是一款设计精良、性能优越的N沟道场效应管,符合当今电子产品对高效能、高可靠性及紧凑设计的需求。无论是在开关电源、马达驱动还是电源管理应用中,CJT04N15都能为设计师提供强有力的支持,帮助实现更高性能的电子系统。在未来的电子设计中,这款MOSFET有潜力成为各种高性能电子设备中的重要组成部分。