反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF@25V | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V,4A | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@10V | 漏源电压(Vdss) | 150V |
类型 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 900pF@25V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
CJT04N15是一款由江苏长电(CJ)生产的N沟道场效应管(MOSFET),其具备优秀的电气特性和广泛的应用潜力。这款MOSFET封装为SOT-223,具有出色的散热性能和适中的体积,适用于多种电子电路,尤其是在功率管理与开关领域。
额定电压:CJT04N15具有150V的最大漏极-源极电压(V_DS),使其能够承受高压环境,适合高压开关电路应用。
漏极电流:其最大漏极电流(I_D)为4A,这样的设计容许MOSFET在多种负载条件下运行,满足了从小功率电子产品到大功率设备的多样化需求。
导通电阻:在10V的门极电压下,CJT04N15的导通电阻为130mΩ,低导通电阻意味着在工作中消耗的电能更少,效率更高,从而有助于减少电路的整体功耗和发热。
封装类型:采用SOT-223封装,具有良好的散热性能,能够有效降低温度,提升MOSFET的可靠性与长寿命。
CJT04N15的设计让它适用于多种电子电路与设备中,包括但不限于以下几个方面:
开关电源:由于其低导通电阻和高电压承受能力,CJT04N15能够被广泛应用于开关电源中,作为主开关元件进行高频开关操作。
电源管理:在电池供电的设备中,CJT04N15可以用于电源管理的各种应用,如电源分配和DC-DC转换器,帮助提高转换效率与降低功耗。
马达驱动:在电机控制应用中,CJT04N15能够高效地控制电机的开启与关闭,适合用于无刷直流电机(BLDC)驱动。
LED驱动:多用于LED照明及显示应用中,通过有效调节电流,以实现稳定的亮度与定时开关,增强系统的灵活性。
高效能:凭借低导通电阻设计,CJT04N15在高频开关操作中能显著减少能量损失,提升电源效率,符合现代电子产品对高效能的要求。
高可靠性:由于具备150V的高耐压特性,CJT04N15适应性强,能够在恶劣条件下稳定工作,确保设备安全,降低故障风险。
易于集成:SOT-223封装具有小巧的物理尺寸,使其容易与其他元器件集成,适用于空间有限的设计。
快速响应:该MOSFET具有快速的开启和关断特性,适合高频率开关应用,能够满足现代电气系统对响应速度的要求。
总之,CJT04N15是一款设计精良、性能优越的N沟道场效应管,符合当今电子产品对高效能、高可靠性及紧凑设计的需求。无论是在开关电源、马达驱动还是电源管理应用中,CJT04N15都能为设计师提供强有力的支持,帮助实现更高性能的电子系统。在未来的电子设计中,这款MOSFET有潜力成为各种高性能电子设备中的重要组成部分。