IRF7904TRPBF 产品实物图片
IRF7904TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF7904TRPBF

商品编码: BM0100472993
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.191g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.4W;2W 30V 7.6A;11A 2个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.57
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.57
--
100+
¥2.97
--
1000+
¥2.76
--
2000+
¥2.62
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7904TRPBF参数

FET 类型2 N-通道(双)FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.6A,11A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)16.2 毫欧 @ 7.6A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.25V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)11nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)910pF @ 15V
功率 - 最大值1.4W,2W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

IRF7904TRPBF手册

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IRF7904TRPBF概述

产品概述:IRF7904TRPBF

概述

IRF7904TRPBF 是一款高效能的双 N 级通道MOSFET,由英飞凌(Infineon)公司制造,适用于各种高性能电源管理和开关应用。这款MOSFET具备优异的电流承载能力和低导通电阻,能够有效地满足现代电子设备对高效率、高速开关的需求。

关键特性

  • FET 类型:此器件为双 N-通道MOSFET,适合逻辑电平门驱动,便于与微控制器和数字电路直接接口。
  • 漏源电压(Vdss):最高可承受 30V 的漏源电压,确保其在多种电源应用中的安全性与可靠性。
  • 连续漏电流 (Id):在25°C 的环境温度下,最大连续漏电流可达 7.6A(通常条件下)和 11A(热条件下),适合大功率应用。
  • 导通电阻(RDS(on)):其最大导通电阻为 16.2毫欧(@7.6A,10V),为设备提供更低的能量损耗,及较高的效率。
  • 阈值电压(Vgs(th)):其最大阈值电压为2.25V(@25µA),使其能够在较低的栅极电压下启动,更方便与低电压驱动电路配合使用。
  • 栅极电荷(Qg):在4.5V的栅电压下,最大栅极电荷为11nC,确保快速的开关响应,适合高频开关应用。
  • 输入电容(Ciss):在15V下,最大输入电容为910pF,有助于减少对驱动电路的负担,提高开关速度。
  • 功率额定值:功率最大值为1.4W和2W,适应不同功率需求的应用场景。
  • 工作温度范围:此器件的工作温度范围为-55°C到150°C(TJ),适合各种恶劣环境下使用。
  • 表面贴装型封装:采用SO-8封装设计,体积小、安装方便,适应现代电子设备的空间限制。

应用领域

IRF7904TRPBF 适用于广泛的应用领域,主要包括:

  1. 电源转换和管理:适可用于DC-DC转换器、AC-DC电源等,帮助提高能效,减小系统尺寸。
  2. 电机驱动器:可用于直流电机、步进电机的驱动场合,提升电机控制的稳定性和响应速度。
  3. 开关电路:在各种开关电路中,此MOSFET能够提供快速的开关能力,减小开关损耗。
  4. 逆变器和变频器:适用于逆变器的开关元件,支持可再生能源系统以及工业变频驱动方案。

总结

IRF7904TRPBF 是一款出色的双 N 级通道MOSFET,具备优异的电气性能和广泛的应用前景。其低导通电阻、高电流承载能力和广泛的工作温度范围,使其成为高效电源管理、开关电路及电机驱动等领域的理想选择。随着电子技术的发展和对能效的日益重视,IRF7904TRPBF 将继续在工业、消费电子和可再生能源领域扮演重要角色。