FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.6A,11A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 16.2 毫欧 @ 7.6A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 25µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 910pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.4W,2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
IRF7904TRPBF 是一款高效能的双 N 级通道MOSFET,由英飞凌(Infineon)公司制造,适用于各种高性能电源管理和开关应用。这款MOSFET具备优异的电流承载能力和低导通电阻,能够有效地满足现代电子设备对高效率、高速开关的需求。
IRF7904TRPBF 适用于广泛的应用领域,主要包括:
IRF7904TRPBF 是一款出色的双 N 级通道MOSFET,具备优异的电气性能和广泛的应用前景。其低导通电阻、高电流承载能力和广泛的工作温度范围,使其成为高效电源管理、开关电路及电机驱动等领域的理想选择。随着电子技术的发展和对能效的日益重视,IRF7904TRPBF 将继续在工业、消费电子和可再生能源领域扮演重要角色。