二极管配置 | 1 对共阳极 | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 30V | 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 200mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800mV @ 100mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
反向恢复时间 (trr) | 5ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2µA @ 25V |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 125°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
概述
BAT54AWT1G是一种低正向电压降的肖特基二极管,通常应用于快速开关电路、整流电路和电平转换电路。其独特的电气性能和较低的反向恢复时间,使其成为高频电子设备中广泛使用的组件之一。作为由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的产品,BAT54AWT1G具有卓越的质量和稳定性,适应广泛的应用要求。
产品特性
二极管配置: BAT54AWT1G采用1对共阳极的配置,适合用于多种电路设计,方便在不同的电路结构中集成和使用。
电压特性: 该肖特基二极管的最大直流反向电压(Vr)为30V,提供良好的反向耐压能力,能有效地保护电路免受过电压的影响。
整流电流: 每个二极管的平均整流电流(Io)可达到200mA(DC),使BAT54AWT1G能够在负载要求较高的电路中稳定工作。
正向电压降: 在100mA的测试条件下,正向电压降(Vf)为800mV,显示了其良好的导通特性,有助于提高整体电路的效率。
反向恢复时间: BAT54AWT1G的反向恢复时间(trr)仅为5ns,这一极短的复位时间确保其在高频使用条件下良好的性能,避免了频繁开关时的能量损失。
反向泄漏电流: 在25V时的反向泄漏电流仅为2µA,保证了在一个大的工作电压范围内,其功耗保持在较低水平。
工作温度范围: BAT54AWT1G的工作温度范围为-55°C到125°C,这使得其在各种极端环境条件下也能够稳定运行。
安装类型: 产品采用表面贴装型设计,便于在现代电子产品中实现自动化生产,提高安装效率和缩小电路板的占用面积。
封装类型: BAT54AWT1G使用SOT-323封装,体积小巧,非常适合用于空间受限的应用场合。
品牌与品质: 作为ON Semiconductor的产品,BAT54AWT1G享有卓越的品牌声誉和质量保障。
应用场景
BAT54AWT1G广泛应用于以下领域:
便携式电子设备: 由于其低正向电压降和小型化封装,该二极管非常适合用于移动电话、平板电脑等便携式设备中,以提高其能效和减少体积。
高速数据通信: 该二极管的快速开关特性使其能够很好地应用于高速数据传输电路,如网络路由器、交换机等。
电源管理: BAT54AWT1G可以用于DC-DC转换器和电源监控电路,保证电源的稳定性和效率。
保护电路: 其反向电压保护能力使得BAT54AWT1G可以用于对敏感元器件进行有效的保护,防止过电压和反向电流对电路造成损害。
总结
BAT54AWT1G是一款功能强大、应用广泛的肖特基二极管,凭借其优异的电气特性和小型化设计,不仅满足了现代电子产品对于高性能、高效率的需求,也为设计工程师提供了更多的设计灵活性。无论是在消费电子、通信设备,还是在电源管理和保护电路中,BAT54AWT1G都是一个值得信赖的选择。其出色的质量保证和性价比使其在市场上具有较强的竞争力,是构建新一代高性能电子产品的重要组成部分。