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NTS4001NT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SC-70-3
包装 :
编带
重量 :
0.032g
描述 :
场效应管(MOSFET) 330mW 30V 270mA 1个N沟道 SOT-323-3
库存 :
5445(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.533按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.533
--
200+
￥0.345
--
1500+
￥0.299
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
NTS4001NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 270mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.3nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 33pF @ 5V |
| 基本产品编号 | NTS400 |
NTS4001NT1G手册
无数据
NTS4001NT1G概述
产品概述：NTS4001NT1G MOSFET
编号与基本信息
NTS4001NT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道MOSFET，具有优异的性能和广泛的应用场景。它在SC-70-3（SOT-323）封装中提供，以卷带（TR）的形式进行提供，专为表面贴装（SMD）设计，便于自动化生产过程中的组装。
关键参数
电气特性
- 漏极电流 (Id): 在25°C环境下，NTS4001NT1G可承受最高270mA的连续漏极电流。这一特性使其非常适合低功耗应用，提供稳定的电流输出。
- 导通电阻 (Rds(On)): 在Vgs=4V时，最大导通电阻为1.5Ω（在10mA电流下测量）。较低的导通电阻对于降低功耗和提高效率至关重要，特别是在高频开关应用中。
栅源电压 (Vgs)
- NTS4001NT1G具有较宽的栅源电压范围，最大值为±20V，支持灵活的电路设计，适应不同的控制信号要求。
- 最大阈值电压（Vgs(th)）为1.5V，在低电压下即可导通，使其适合低压驱动应用。
耐压与功率耗散
- 漏源电压 (Vds)达到30V，适合多种常见的低压开关电路。
- 功率耗散能力为330mW，可应对各种功率要求，确保在高温和高负载条件下的可靠性。
温度特性
- 工作温度范围非常宽广：从-55°C到150°C, 使得该MOSFET能够在极端条件下正常工作，非常适合航空航天、汽车电子和工业应用。
其他电性能
- 输入电容 (Ciss) 最大值为33pF，较低的输入电容有利于快速开关，增强开关频率响应。
- 栅极电荷 (Qg) 达到1.3nC，这一特性使得该MOSFET在控制驱动电路中的开关性能更为优异。
应用场景
NTS4001NT1G MOSFET凭借其小型化设计和优异的电气性能，广泛应用于以下领域：
- 便携式设备：由于其低功耗和小型封装，该元件非常适合用在智能手机、平板电脑和穿戴设备等便携式电子设备中。
- 电源管理：在电源开关、电池管理系统中，NTS4001NT1G可以作为高效开关器件，实现电源的高效率控制。
- 汽车电子：得益于宽广的工作温度范围和高可靠性，NTS4001NT1G适用于汽车控制系统中的各种开关应用，如电动窗控制、车灯开关等。
- 工业自动化：其在高温和高电流条件下的稳定性使其成为工业设备和自动化系统中理想的选择。
结论
NTS4001NT1G是一款性能优越的N沟道MOSFET，可广泛应用于不同的电子设备和系统中。其小型SC-70-3封装设计、优良的电气特性及宽广的工作温度范围，确保了在多种环境下的稳定工作，使其成为现代电子设备设计中的理想选择。无论是在降低功耗、提升效率还是在小型化设计中，NTS4001NT1G都展现出了其独特的价值。