功率(Pd) | 55W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 180pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@4.5V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.35nF@25V | 连续漏极电流(Id) | 17A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
在现代电子设计中,场效应管(MOSFET)作为一种重要的半导体元件,广泛应用于电源管理、开关电路、信号放大等领域。尤其是在高效能电源转换器、驱动电路和电机控制等应用中,MOSFET的低导通电阻和快速开关特性使其成为电路设计中的热门选择。NCE0117I是一款由新洁能(NCE)推出的N沟道MOSFET,具有高达55W的功率处理能力、100V的耐压指标和17A的通道电流,适合各种电源及功率管理应用。
NCE0117I在多个领域展现出其广泛的应用潜力,具体包括但不限于:
参数 | 规格 |
---|---|
产品类型 | N沟道MOSFET |
最大功率 | 55W |
最高耐压 | 100V |
最大电流 | 17A |
封装形式 | TO-251 |
总的来说,NCE0117I是一款具有高功率、高电压、高电流特性的优质N沟道MOSFET,适应了现代电子产品对远超以往的能效和稳定性的需求。凭借其在多种应用领域内的良好表现,NCE0117I为设计工程师提供了更多创新和发挥的空间,助力各类电子设备在高效、安全、节能的方向上不断前行。无论是在电源转换、负载控制或其他高要求电路中,NCE0117I均表现出色,是值得信赖的选择。