IPP050N10NF2SAKMA1
IPP050N10NF2SAKMA1参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | StrongIRFET™ 2 |
| 零件状态 | 在售 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19.4A（Ta），110A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 毫欧 @ 60A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 84µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 76 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3600 pF @ 50 V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IPP050N10NF2SAKMA1手册
IPP050N10NF2SAKMA1概述
产品概述：IPP050N10NF2SAKMA1
基本信息
IPP050N10NF2SAKMA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）制造的一款强大的 N 通道 MOSFET，隶属于 StrongIRFET™ 2 系列。该器件设计用于处理高电压和高电流，有效满足各种工业和消费电子产品的需求。凭借其出色的性能和可靠性，IPP050N10NF2SAKMA1 是电源管理、马达驱动和高频开关应用中的理想选择。
关键参数
- 制造商: Infineon Technologies
- 系列: StrongIRFET™ 2
- 封装类型: TO-220-3
- FET 类型: N 通道
- 漏源电压（Vdss）: 100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19.4 A（Ta），110 A（Tc）
- 驱动电压: 6V（最大 Rds On），10V（最小 Rds On）
- 导通电阻: 5 毫欧 @ 60A，10V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 3.8V @ 84µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 76 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss): 最大值 3600 pF @ 50 V
- 功率耗散: 最大值 3.8W（Ta），150W（Tc）
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（TJ）
性能特点
高电压与大电流承载能力: IPP050N10NF2SAKMA1 可承受高达 100V 的漏源电压，同时，在指定的环境条件下提供高达 110A 的连续漏极电流，使其非常适合在高功率应用中使用。
超低导通电阻: 该器件在 60A 和 10V 驱动下，提供低至 5 毫欧的导通电阻。较低的 Rds(on) 有助于减少功率损耗，提高效率，特别是在开关电源和其他高频应用中。
宽工作温度范围: IPP050N10NF2SAKMA1 具备广泛的工作温度范围，从 -55°C 到 175°C，适合在严苛环境中使用，特别是在汽车和工业应用中的高温环境。
高效的门极驱动特性: 该 MOSFET 的最大栅极电荷只有 76 nC，意味着它可以实现快速的开关响应，从而提高系统的工作效率。同时，阈值电压 (Vgs(th)) 极低，确保在较低电压下也能精准驱动。
便于安装: 采用 TO-220-3 封装，适合通孔安装，能够很好地与散热器配合使用，以保持器件在高负载工作下的可靠性。
应用领域
IPP050N10NF2SAKMA1 适用于诸多应用领域，包括但不限于：
电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器和不间断电源系统中，提供高效率的电源转换。
马达驱动: 适合各种电动机驱动场景，如工业电机控制和电动汽车驱动系统。
消费电子: 可用于各种电子设备的电源管理模块，确保设备在高负载下稳定工作。
通信设施: 在基站和通信设备中，高效的电源转换、控制和分配。
结论
IPP050N10NF2SAKMA1 是一个以高可靠性和出色性能著称的 MOSFET 解决方案。其强大的电流承载能力、超低导通电阻及高效的驱动特性，使其成为现代高功率应用中的首选器件。凭借英飞凌科技的强大背景和专业技术，该产品能够在各个行业的多种应用中提供卓越的解决方案。