晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 220 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 150mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
产品概述:BC857BWT1G
一、基本信息
BC857BWT1G是一款高性能的PNP型晶体管,属于BJT(双极性晶体管)类别,由安森美(ON Semiconductor)公司生产。这款产品主要用于低功耗和高频率的电子应用中,如信号放大、开关电路等。其在电子电路设计中占据重要角色,因其良好的电气特性和高温稳定性,适合在各种环境下使用。
二、产品规格
类型和封装
电流与电压特性
电流增益和截止特性
功率和功率耗散特性
频率响应
工作温度范围
三、应用场景
BC857BWT1G因其优越的电气特性而被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
无线通信
消费电子产品
汽车电子
工业控制
四、总结
BC857BWT1G是一款具有优秀电气特性、广泛应用范围的PNP型晶体管,适合现代高频和低功耗的电子设计应用。其可确保电路在多种环境下的稳定性与可靠性,是优秀的选择之一。无论是在消费电子、通信系统还是汽车电子中,BC857BWT1G都将为设计师和工程师提供良好的性能和广泛的灵活性,满足各种创新应用的需求。