IPB107N20N3GATMA1

产品概述：IPB107N20N3GATMA1

Infineon推出的IPB107N20N3GATMA1是一款高性能的N沟道MOSFET，专门设计用于满足现代电源管理和电力转换系统的需求。其独特的OptiMOS™技术在各类应用中表现出色，尤其适用于48V系统的同步整流、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）以及DC马达驱动逆变器等领域。

基本技术参数

该MOSFET的漏源电压（Vdss）高达200V，标志着其在高压应用中的广泛适用性。其连续漏极电流（Id）在25°C条件下达到了88A，这一特性使其能够承受大量电流，同时确保设备在高性能工作条件下的可靠性。IPB107N20N3GATMA1的最大Rds(on)为10.7毫欧，表明其电导能力非常优越，能有效降低能量损耗。其驱动电压为10V，这在多种电源管理方案中提供了良好的兼容性。

开关特性与效率

在不同的栅源电压（Vgs）和漏极电流（Id）条件下，IPB107N20N3GATMA1展现了出色的导通电阻特性。特别是在88A和10V的条件下，其最大导通电阻为10.7毫欧，这表明其在高电流情况下的能效比非常优良。此外，栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为4V，确保了其在开启和关闭状态之间的良好转化。

该MOSFET还配备了低达87nC的栅极电荷（Qg）值，有助于降低驱动功耗，提高开关速度，从而提升整个电路的效率。在开关损耗和导通损耗之间的良好平衡使其成为高频应用的理想选择。

输入电容与功耗

在输入电容（Ciss）方面，该器件的最大值为7100pF（在100V下），这为其在高频工作时的稳定性提供了保障。其功率耗散最高可达300W（在Tc条件下），这显示了其卓越的热管理能力，能够在高温环境下持续工作。此外，IPB107N20N3GATMA1的工作温度范围从-55°C到175°C，确保其在各种苛刻环境中均能保持优异的性能。

封装与安装

该MOSFET采用表面贴装型（SMD）封装，型号为PG-TO263-3（D²PAK），这使得其在PCB上的布局更为灵活，便于自动化生产和组装。D²PAK封装为2引线+接片设计，提供了良好的散热特性及电气性能，适合于密集型及高性能的电子设备。

应用领域

凭借其出色的电气特性，IPB107N20N3GATMA1非常适合各种高效电源设备的设计，如48V系统的同步整流、DC-DC变换器、不间断电源（UPS）以及用于DC电机的逆变器等场景。该器件的高功率密度与优异的热性能，使其能够在需要高可靠性和高效率的场合中脱颖而出。

总结

IPB107N20N3GATMA1是一个非常适合当前市场需求的高性能N沟道MOSFET，凭借其先进的OptiMOS™技术，搭配出色的电气特性，其在电源管理系统中的应用前景非常广阔。无论是在高压应用、频率转换还是高效能电路中，IPB107N20N3GATMA1都可以作为重要的电子元器件，帮助设计者实现高能效和高可靠性的解决方案。