注：图像仅供参考，请参阅产品规格
NX3008NBKMB,315
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
DFN-1006B-3
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
绝缘栅场效应管（MOSFET） NX3008NBKMB/SOT883B/XQFN3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.669按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.669
--
100+
￥0.461
--
500+
￥0.419
--
2500+
￥0.388
--
5000+
￥0.363
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述
NX3008NBKMB,315参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 530mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta），2.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN1006B-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.68nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 15V |
NX3008NBKMB,315手册
无数据
NX3008NBKMB,315概述
NX3008NBKMB/SOT883B/XQFN3 产品概述
一、基本信息
NX3008NBKMB是一款由Nexperia（安世半导体）制造的绝缘栅场效应管（MOSFET），属于N通道FET类型。这款MOSFET采用卷带（TR）包装，适用于表面贴装（SMD）技术，特别适合高密度布板设计。其极小的封装形式为DFN1006B-3，可为现代电子设备提供高效的功率管理方案。
二、规格参数
电流和电压
- 连续漏极电流 (Id): 530mA @ 25°C 。
- 漏源电压 (Vdss): 最高可达30V。
- 栅极源电压 (Vgs): 最大值为±8V，这使得该MOSFET具备良好的栅极驱动能力。
导通电阻与阈值电压
- 不同Id、Vgs下的导通电阻 (Rds On): 在4.5V下，350mA时最大导通电阻为1.4欧姆。这种低导通电阻特性可以显著降低功耗。
- Vgs(th)（阈值电压）最大值为1.1V @ 250µA，保证了其在低电压下的有效控制能力。
电气性能
- 栅极电荷（Qg）最大值为0.68nC @ 4.5V，表明其响应速度快且驱动能耗低。
- 输入电容 (Ciss): 最高50pF @ 15V，此特性有助于提升开关性能、减小驱动电路的复杂度。
功率耗散
- 最大功率耗散: 360mW（在环境温度条件下），2.7W（在晶体管表面温度条件下），这为高功率应用提供了承受能力。
工作温度
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ），确保其在严苛环境下的稳定性和可靠性。
三、应用场景
NX3008NBKMB MOSFET广泛应用于各类需要高效电流控制的电子设备，例如：
- 开关电源(SMPS): 由于其低导通电阻和高效率，该MOSFET可用于DC-DC转换器和其他开关电源设计中，以提高整体能量转换效率。
- 电源管理: 在通讯设备、计算机、便携式设备和家用电器中的电源管理模块中，NX3008NBKMB充当核心元件，负责电流的精确控制。
- 高性能LED驱动器: 在LED照明和显示模块中，该MOSFET因其快速开关特性，被广泛用于LED驱动电路中。
- 电机驱动与控制: 该MOSFET适用于直流电机控制和步进电机驱动系统，提供精确的控制和优化性能。
四、总结
NX3008NBKMB/SOT883B/XQFN3为现代电子设计提供了高效、可靠的解决方案。凭借其出色的电气性能，如低导通电阻和高功率处理能力，适用于多种应用场景，特别是在需要高精度电流控制和能量效率的领域。Nexperia在半导体行业的专业背景和技术积累使得这款MOSFET成为设计工程师的首选元件之一，能够满足持续增长的市场需求和应用挑战。