制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 150 毫欧 @ 1.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA | Vgs(最大值) | ±8V |
功率耗散(最大值) | 350mW(Ta),6.25W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN1006-3 |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.6nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 93pF @ 10V |
PMZ130UNEYL 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道 MOSFET。这款 MOSFET 采用紧凑型的表面贴装 DFN-1006-3 封装设计,适合于多种电子应用,尤其是便携式设备和空间受限的应用场景。其主要特点是低导通电阻、宽工作温度范围以及优异的功率处理能力。
低导通电阻:PMZ130UNEYL 在 1.8A 和 4.5V 驱动电压下最大导通电阻为 150 毫欧,这使得 MOSFET 在开关过程中产生的功耗较低,适用于高效率电源管理应用。
宽工作温度范围:该器件具备 -55°C 至 150°C 的工作温度范围,这使得它在严苛环境条件下能够稳定工作,适合工业设备、汽车电子和航空航天等高要求应用。
高功率处理能力:PMZ130UNEYL 具有 350mW(Ta)和 6.25W(Tc)的功率耗散能力,能够在较高功率下安全运行,满足各种应用的需求。
小型化设计:DFN-1006-3 封装具有紧凑的体积和高集成度,使得 PMZ130UNEYL 在电路设计中能够节省空间,适合需要小型化的工业和消费电子产品。
PMZ130UNEYL 的特性使其适用于多个领域,包括但不限于:
总的来说,PMZ130UNEYL 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET,无论是在导通电阻、功率处理能力,还是工作温度范围上,都展现出卓越的性能表现。这些特性使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件,广泛应用于电源管理、工业控制及消费电子产品中。由于其紧凑的封装及高效的工作能力,PMZ130UNEYL 预计将成为市场上备受青睐的解决方案,满足各类电子产品的需求。