BUK6D81-80EX 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BUK6D81-80EX

商品编码: BM0089665269
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
6-UDFN 裸露焊盘
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.58
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.58
--
100+
¥1.22
--
750+
¥1.02
--
1500+
¥0.924
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

BUK6D81-80EX参数

制造商Nexperia USA Inc.系列Automotive, AEC-Q101
包装卷带(TR)零件状态有源
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.2A(Ta),9.8A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)81 毫欧 @ 3.2A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250µA
Vgs(最大值)±20V功率耗散(最大值)2W(Ta),18.8W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装DFN2020MD-6封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
漏源电压(Vdss)80V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)14.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)504pF @ 40V

BUK6D81-80EX手册

BUK6D81-80EX概述

产品概述:BUK6D81-80EX

BUK6D81-80EX是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能N通道MOSFET,标志着其在汽车应用和高温环境下的优越性能。该元器件符合AEC-Q101标准,确保其能够在严格的汽车行业环境中稳定工作,适合用于各种要求高可靠性的场合。

基本特性

BUK6D81-80EX采用6-UDFN(裸露焊盘)封装方式,适合表面贴装技术(SMD),其小型化设计使其在空间受限的应用中能够灵活使用。该MOSFET的漏源电压(Vdss)高达80V,使其适合用于直流电源管理、马达驱动、功率转换等多种应用场景中。

在电流性能方面,BUK6D81-80EX具备较高的连续漏极电流处理能力,能够提供3.2A的最大连续电流(在环境温度为25°C时)和高达9.8A的持续电流(在节冷环境温度条件下)。这使得该元器件能够适应不同负载要求。

导通电阻与驱动电压

BUK6D81-80EX在3.2A电流及10V栅极驱动电压下,其最大导通电阻(Rds(on))为81毫欧,这意味着在开关操作时,其能有效减少损耗,提高整体系统效率。该MOSFET的驱动电压(Vgs)也表现出很大的灵活性,能够在4.5V至10V的范围内实现最佳的导通状态。

此外,BUK6D81-80EX的栅极阈值电压(Vgs(th))最大为2.7V,这一特性确保MOSFET在较低电压下便能稳定导通,增强了其整体控制能力。

热管理与功率耗散

在功率耗散方面,BUK6D81-80EX的最大功率耗散能力为2W(在25°C环境温度下)和18.8W(在节冷环境下)。这一热性能使其适用于高功率及高热负荷的应用,设计者可以安心地将其使用在挑战性较大的电路中。该元器件的工作温度范围从-55°C到175°C,自然保证了其在极端温度条件下的操作稳定性,适合在恶劣的环境中使用。

电气特性

BUK6D81-80EX的栅极电荷(Qg)最大为14.9nC(在10V时测得),这意味着其具有较快的开关速度,有助于提升系统的切换效率。此外,其输入电容(Ciss)最大为504pF(在40V时测得),支持其在高频操作环境中的表现。

应用场景

BUK6D81-80EX的强大性能使其广泛应用于汽车电气系统、工业控制、电机驱动、开关电源、逆变器和各类消费电子产品中。在汽车应用方面,这款MOSFET可用于电动驱动系统、灯光控制、电池管理系统等领域,尤其是在对高效能和可靠性有着严苛要求的场合。

结论

综合以上特性,BUK6D81-80EX是Nexperia推出的一款高性能、适应性强的N通道MOSFET,专为满足现代汽车及工业应用的高要求而设计。它的耐高温、低导通电阻、高电流处理能力和广泛的工作温度范围,确保其在多种应用场景中表现在性能和稳定性方面的优异表现。无论是电源管理还是精密控制,BUK6D81-80EX都能够卓越完成其使命,为设计师和工程师提供可靠的解决方案。