制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 590mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 670 毫欧 @ 590mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA | Vgs(最大值) | ±8V |
功率耗散(最大值) | 310mW(Ta),1.67W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN1006-3 |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.1nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 30.3pF @ 15V |
PMZ550UNEYL 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高效能 N 通道 MOSFET(场效应管)。该器件专为高频开关与功率转换应用设计,能够以卓越的电气特性为电子产品提供稳定可靠的性能。其封装形式为 DFN1006-3(又称为 SOT-883),适合表面贴装(SMD)应用,适合于空间受限的小型电路板设计。
PMZ550UNEYL的高导通电压与低导通电阻特性,尤其是在低电压驱动下,使其在高频开关模式下具有出色的能效表现。这对于降低功耗、提高整体系统效率至关重要。
输入电容 (Ciss) 最大值为 30.3pF,在 15V 下测得;门极电荷 (Qg) 则在 4.5V 下达到 1.1nC。较低的输入电容意味着能够实现更快的开关速度,而门极电荷的低值则有助于减小驱动电路的功耗。
PMZ550UNEYL 广泛应用于以下领域:
PMZ550UNEYL 使用 DFN1006-3 封装,该封装形式具有优秀的热导性能和电气特性,适合于自动化表面贴装。小巧的尺寸允许在空间限制严格的应用中使用,有效降低产品的整体体积。
PMZ550UNEYL 是一款高性能、低功耗的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气特性和广泛的工作条件,使其在各类电子应用中表现出色。适合不断发展的电源管理和控制系统需求,为现代电子产品的开发设计提供更多灵活性和可靠性。通过结合先进的材料与设计,Nexperia 不断推动 MOSFET 技术的发展,让 PMZ550UNEYL 成为您下一个项目中的理想选择。