PMZB200UNEYL

PMZB200UNEYL 产品概述

1. 产品简介

PMZB200UNEYL 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 频道 MOSFET（场效应管），该元件采用了现代的金属氧化物半导体技术，具有卓越的电性能，适用于各种电源管理和开关应用。该 MOSFET 具有额定漏极电压为 30V，允许连续漏极电流达到 1.4A，能够有效满足中低功率应用的需求。

2. 主要特性和规格

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 包装形式: 卷带（TR），便利于表面贴装（SMD）过程中的高效生产。
• 工作状态: 该元件为有源，并专门设计为 N 频道结构，适合在较低电压下进行高效开关操作。
• 漏极电流 (Id): 在环境温度25°C时，PMZB200UNEYL 支持最大1.4A的连续漏极电流，确保在适当的散热条件下可处理较大的功率负载。
• 栅源电压 (Vgs): 最大值为±8V，支持较宽的控制电压范围。
• 栅极导通电阻 (Rds(on)): 在4.5V Vgs下，最大导通电阻为 250 毫欧，这使得器件在开启状态下的功耗降到最低，适合高效的功率管理。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 950mV （@ 250µA），确保快速响应和控制精确。
• 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C，为各种苛刻环境下的应用提供极高的可靠性。
• 功率耗散 (Pd): 器件在环境温度 (Ta)下的最大功率耗散为350mW，而在结温 (Tc)环境下为6.25W，适合中高功率密度的应用。
• 输入电容 (Ciss): 最大值为89pF @ 15V，保证快速开关特性，适合高频率应用。
• 栅极电荷 (Qg): 在4.5V下，栅极电荷最大为2.7nC，说明其具有出色的驱动效率。

3. 封装和连接方式

PMZB200UNEYL 采用 DFN-1006B-3 封装，具有三脚设计，适合通过表面贴装技术进行快速和高效的安装。这种封装不仅在尺寸上具有优势，还可以有效提高散热性能，对于紧凑的电路设计尤为重要。

4. 应用领域

PMZB200UNEYL 特别适合于以下应用：

• 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源中的开关和控制应用。
• 负载开关：高效地控制电流，广泛应用于各种消费电子产品。
• 电池管理系统：在电池充电和放电过程中提供稳定的功率控制。
• 电机控制：用于中小型电机驱动中的开关控制。

5. 总结

PMZB200UNEYL MOSFET 是一款高度集成、高效率的场效应管，具备良好的热管理能力及电性能，适合各种中低功率的开关和电源管理应用。其-55°C 至 150°C 的广泛工作温度范围，使其在多种复杂环境中也能稳定工作，是现代电子行业中一款不可或缺的关键元器件。无论是在消费电子、工业自动化还是其他高科技领域，PMZB200UNEYL 提供了优越的性能和可靠性，是电子设计工程师的理想选择。