PXN012-60QLJ
PXN012-60QLJ参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.5 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.77 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 957 pF @ 30 V | 功率耗散（最大值） | 34.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | MLPAK33 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
PXN012-60QLJ手册
PXN012-60QLJ概述
PXN012-60QLJ 产品概述
产品名称: PXN012-60QLJ
制造商: Nexperia USA Inc.
产品类型: N 通道 MOSFET
封装: 8-PowerVDFN (MLPAK33)
状态: 在售
应用领域: 电源管理、开关电源、直流-直流转换器、高功率照明、电动车辆等。
1. 产品简介
PXN012-60QLJ 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。其设计旨在提升电源管理和开关应用中的效率和可靠性，具有高导通电流和低导通电阻的优点。这款 MOSFET 以其优良的热性能和广泛的工作温度范围，成为电源转换和驱动控制等多种应用的理想选择。
2. 技术规格
- 漏源电压 (Vdss): 60 V
- 连续漏极电流 (Id): 42A（Tc = 25°C）
- 导通电阻 (Rds(on)): 最高手 11.5 毫欧 @ 10A, 10V
- 栅源电压 (Vgs): ±20V
- 导通电压 (Vgs(th)): 最大 2.5V @ 1mA
- 栅极电荷 (Qg): 最大 18.77 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss): 最大 957 pF @ 30 V
- 功率耗散: 最大 34.7W（Tc）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
3. 性能特点
PXN012-60QLJ 的最大额定电压为 60V，能够在多种高压环境中稳定运行。其最大连续漏极电流达 42A，适合需求较高的应用场合。该器件的低导通电阻（最大 11.5 毫欧）使得它在运行过程中产生的功率损耗显著降低，这对于提高整体系统效率至关重要。
此外，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了 PXN012-60QLJ 在极端环境中也能稳定工作，尤其适合航空航天、汽车和工业控制等应用领域。Nexperia 在 MOSFET 技术上的深厚积累，使得这一产品在电源转换效率和热管理方面表现出众。
4. 应用场景
PXN012-60QLJ 可广泛应用于以下领域：
- 开关电源 (SMPS): 在电压转换和调节过程中，能够提供有效的开关控制。
- 直流-直流转换器 (DC-DC Converters): 适用于高效能转换，减少能量浪费，提高整体效率。
- 电机驱动: 可用于电机控制和驱动电路，满足高功率需求。
- 电动车和混合动力车: 在动力管理系统中确保高效的能源使用。
- LED驱动: 在高功率 LED 应用中，提供强大的电流和稳定的性能。
5. 封装和安装
PXN012-60QLJ 采用的 8-PowerVDFN 封装，有助于实现小型化和高密度安装，适合现代电子设备对空间的严格要求。其表面贴装设计便于自动化生产，提高了生产效率和降低了安装成本。
6. 结语
综上所述，PXN012-60QLJ 是一款性能优异、适用范围广泛的 N 通道 MOSFET，其低导通电阻、高电流承载能力和宽工作温度范围使得它在众多高效能电子应用中表现突出。随着电力电子技术的不断发展，PXN012-60QLJ 将继续引领行业，满足日益增长的市场需求。