PMDPB30XN,115

PMDPB30XN,115 产品概述

制造商: Nexperia USA Inc.
封装类型: DFN-2020-6（裸露焊盘，2x2mm）
状态: 有源
功能类型: 双N沟道逻辑电平场效应管（MOSFET）

1. 产品背景

PMDPB30XN,115 是一款高性能的N沟道场效应管，专为电子驱动应用与逻辑电平控制设计。随着电子设备对小型化和高能效的不断追求，Nexperia 的此款MOSFET提供了优秀的导通性能和低功耗特性，满足了现代电子设计的严格要求。

2. 主要性能参数

• 漏源电压（Vdss）: 20V 此参数使得该MOSFET适用于低至中等电压的应用场景，合理范围内确保了其安全性和稳定性。

• 连续漏极电流（Id）: 4A @ 25°C 在25°C的环境下，可持续处理4A的电流，适合于多种功率控制应用。

• 导通电阻（Rds(on）: 最大40毫欧 @ 3A，4.5V 低导通电阻意味着在导通状态下产生的功耗较低，提升了系统的整体能效。

• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大900mV @ 250µA 该阈值电压使得该MOSFET在低电压逻辑电平下也能够实现有效的导通，适用于逻辑电平驱动的电路。

• 栅极电荷（Qg）: 最大21.7nC @ 4.5V 较低的栅极电荷意味着在开关操作时所需的驱动功率相对较低，可以提高开关速度和效率。

• 输入电容（Ciss）: 最大660pF @ 10V 输入电容的低值有助于提升高速开关频率的表现，适合高速开关和脉冲功率应用。

• 功率最大值: 490mW 该MOSFET的功率处理能力使其在各种功率密集型应用中都表现出色。

• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C 此广泛的工作温度范围确保了设备在极端环境下的可靠性，适合汽车、工业控制等领域的应用。

3. 应用领域

PMDPB30XN,115 应用广泛，适合多种电子设计领域，包括但不限于：

• 开关电源: 对于需要高频开关操作的电源管理电路，该MOSFET能够在低电压下实现快速开切。
• 马达驱动: 在无刷直流电机驱动应用中，其优秀的电流处理能力和低导通电阻可提高电机的效率与响应速度。
• LED驱动: 由于该器件良好的导通特性，适合驱动高功率LED，为照明行业提供稳定的电源解决方案。
• 电路保护: 在过载或短路情况下使用该MOSFET，可以有效地保护电路，保持系统的安全性。

4. 封装与安装

PMDPB30XN,115采用DFN-2020-6（裸露焊盘）封装，具有很好的散热性能和小尺寸优点，非常适合现代电子设备的表面贴装（SMT）制造。这种封装方式进一步降低了PCB面积，有利于设备的小型化设计。

5. 总结

PMDPB30XN,115 是一款高效、可靠且功能多样化的双N沟道MOSFET，极为适合在各类低中压电源管理、电机控制和照明驱动等应用中使用。其广泛的工作温度范围和高性能指标使其成为现代电子设计中不可或缺的关键元件之一。通过Nexperia的高品质保证，PMDPB30XN,115将为广大工程师和设计师在实现创新设计的过程中提供强有力的支持。