制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 95 毫欧 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.7V @ 250µA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 1.6W(Ta),15.6W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.2nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 305pF @ 30V |
PMPB85ENEAX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件具有出色的电流承载能力和低导通电阻,适用于高效电源管理和功率转换应用。PMPB85ENEAX 的封装采用了先进的 DFN2020-6 干扰焊盘设计,具有卓越的热管理特性和集成度。
输出能力:
电气性能:
阈值电压:
功率管理:
电容特性:
PMPB85ENEAX MOSFET 产品广泛应用于以下几个领域:
电源管理:
电动机控制:
汽车电子:
消费电子:
高可靠性:
强大的散热性能:
优化的电气性能:
简化的设计:
综合考虑,PMPB85ENEAX 是一款具有高效能和广泛应用的 MOSFET,对于希望提高电源管理效率和设备可靠性的工程师尤其重要。其低导通电阻和优秀的热特性,提高了电路的整体性能。无论是在电源管理、汽车电子还是消费电子应用中,PMPB85ENEAX 都能够提供可靠的解决方案,是工程师设计新型电子产品时的理想选择。