PMDPB55XP,115

产品概述：PMDPB55XP,115

一、基本信息

PMDPB55XP,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 P 沟道功率 MOSFET，适用于各种电子设计应用。该器件以其卓越的电气性能和优越的温度稳定性，广泛应用于电源管理、开关电路和模拟电路等领域。

二、产品规格

• 制造商：Nexperia USA Inc.
• 零件状态：有源
• FET 类型：双 P 沟道
• FET 功能：逻辑电平门
• 漏源电压 (Vdss)：20V
• 连续漏极电流 (Id)：3.4A @ 25°C
• 导通电阻 (Rds(on))：最大值 70 毫欧 @ 3.4A，4.5V
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值 900mV @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg)：最大值 25nC @ 5V
• 输入电容 (Ciss)：最大值 785pF @ 10V
• 功率最大值：490mW
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C (TJ)
• 封装类型：表面贴装型
• 封装/外壳：DFN-2020-6（6-pin HUSON EP）

三、产品特色

PMDPB55XP,115 的双 P 沟道结构使其在低电压和高频应用中表现出色。其逻辑电平门特性使器件能够在较低的栅极电压下完全打开，非常适合与低电平驱动的电路搭配使用。该器件的导通电阻相对较低，意味着在高负载条件下可以降低功率损耗，提升系统效率。

产品设计上，PMDPB55XP,115 支持最高的漏源电压为 20V，流经其的连续电流则可达到 3.4A。这些参数为其在电源管理和开关电源等应用场景提供了强大的支持。随着现代电子产品对功率效率要求的提高，这款 MOSFET 具备优秀的热性能，其工作温度范围可从 -55°C 到 150°C，确保其在严苛环境下的可靠性。

四、典型应用

PMDPB55XP,115 在以下几个主要领域中表现卓越：

1. 电源管理：广泛应用于 DC-DC 转换器、稳压器和电池管理系统中，提升能源利用效率。
2. 开关电源：适用于不间断电源（UPS）、适配器及其他电源转换装置，提供优秀的开关性能。
3. 驱动电路：在电机驱动、LED 驱动和其他需要高效率开关的场合表现出色。
4. 信号开关：在模拟信号的选择和开关应用中，也能提供良好的性能。

五、总结

PMDPB55XP,115 是一款高效能、高可靠性的 P 沟道 MOSFET，结合了出色的电气性能和广泛的应用场景，适合现代电子设备中的多种电气设计需求。其高流量能力、低导通电阻及良好的热特性使其成为了电子工程师在进行电源管理和开关控制设计时的理想选择。无论是对性能有严格要求的行业应用，还是要求高能效的消费电子产品，PMDPB55XP,115 都能以其卓越的性能和可靠性助力客户提供优秀的设计解决方案。