注：图像仅供参考，请参阅产品规格
BUK98150-55A/CUF
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
SOT-223
包装 :
编带
重量 :
0.138g
描述 :
场效应管(MOSFET) 8W 55V 5.5A 1个N沟道 SOT-223-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.42按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.42
--
100+
￥1.14
--
1000+
￥1.02
--
2000+
￥0.962
--
4000+
￥0.915
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述
BUK98150-55A/CUF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 137 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.3nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±15V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 320pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 8W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
BUK98150-55A/CUF手册
无数据
BUK98150-55A/CUF概述
产品概述：BUK98150-55A/CUF
BUK98150-55A/CUF是一款高性能的N沟道MOSFET，专为需求高效电源管理和高电流应用而设计。作为安世（Nexperia）的一款优势产品，BUK98150-55A/CUF结合了优异的电气性能、广泛的工作温度范围以及紧凑的封装设计，适合用于各种电子设备，包括但不限于电源转换器、电机驱动器和开关电源等领域。
主要参数
FET类型及技术：
- 优选的N通道MOSFET技术，能够在较低的驱动电压下工作，有效降低系统功耗。
漏源电压（Vdss）：
- 最大漏源电压为55V，使得BUK98150-55A/CUF能够承受多种电压应用场景，增强系统的容错能力。
连续漏极电流（Id）：
- 该MOSFET在25°C的情况下具有5.5A的连续漏极电流能力，允许在高负载条件下稳定运行。
导通电阻（Rds(on)）：
- 在10V的驱动电压下，最大导通电阻为137毫欧（@5A），这意味着在高电流流动时可以最小化功率损耗，提高系统整体效率。
栅极-源极电压（Vgs）：
- 可容忍的最大Vgs为±15V，提供增大设计灵活性的空间。
开关特性：
- 在不同Vgs下，所需的栅极电荷（Qg）为5.3nC（@5V），这使得驱动电路更为简单并提高了开关速度。
输入电容（Ciss）：
- 最大输入电容为320pF（@25V），在设计高频应用时可有效减小反向恢复损失。
功率耗散能力：
- 最大功率耗散为8W（@Tc），确保在高温和大负载条件下的可靠性和安全性。
工作温度范围：
- 扩展的工作温度范围为-55°C至150°C，适合在不同温度环境中运行，极大地提高了产品应用范围。
封装与安装：
- 采用表面贴装型封装（SOT-223），极大提升了PCB电路板的空间利用率，尤其适合高密度设计。
应用场景
BUK98150-55A/CUF适用于多种应用领域，包括：
- DC-DC转换器：在电源管理系统中，MOSFET可以替代传统二极管，提高转换效率。
- 电机驱动器：在电机控制系统中，作为开关元件，BUK98150-55A/CUF能够以高效的方式驱动负载。
- 智能照明：高效的开关特性使其在智能照明应用中表现优异，能够轻松控制大功率LED驱动。
- 电源开关：用于电源开关应用时，低导通电阻可以降低功耗，增加系统的可靠性。
竞争优势
BUK98150-55A/CUF凭借其低导通电阻、高耐压、高电流承载能力以及广泛的工作温度范围，成为众多高性能应用的优选。同时，作为Nexperia品牌的产品，其质量和稳定性更是得到了业界的广泛认可，选择BUK98150-55A/CUF，将为您的设计项目提供坚实的保障。
总之，BUK98150-55A/CUF是一款强大而灵活的N沟道MOSFET，设计师可以在许多高效和高功率的应用中，自信地选择这一组件，以实现更高的设备性能和效率。